PD - 95811汽车MOSFETIRFR2905ZIRFU2905ZHEXFET(R)功率MOSFETD特点●●●●●先进的工艺技术超低导通电阻175 ° C工作温度快速开关重复性雪崩中允许多达TJMAXVDSS= 55VGSRDS （ ON）= 14.5mOhmID= 42A描述专为汽车应用，这HEXFET(R)功率MOSFET采用了最新的处理技术，实现极低的导通电阻每硅片面积。另外这种设计的特点是一个175 ° C的结温工作TURE ，开关速度快，提高了重复性雪崩投资评级。这些功能结合起来，使这个设计非常高效，可靠的装置，用于在汽车应用中使用，并各种各样的其它应用。D- PAKIRFR2905Z马克斯。594242240110I- PAKIRFU2905Z单位A绝对最大额定值参数ID@ TC= 25°C连续漏电流， VGS@ 10V（硅有限公司）ID@ TC= 100℃连续漏电流， VGS@ 10VID@ TC= 25°C连续漏电流， VGS漏电流脉冲IDM?@ 10V（包装有限公司）PD@TC= 25 °C功耗VGSEAS （限热）EAS（测试）IAREARTJT英镑线性降额因子栅极 - 源极电压单脉冲雪崩能量雪崩电流WW / ℃，VmJAmJd0.72± 20单脉冲雪崩能量测试值??h5582看到图12a ， 12b中，15，16-55? + 175重复性雪崩能量工作结存储温度范围g°C300 （ 1.6毫米从案例）10磅的（ 1.1N M）焊接温度，持续10秒安装扭矩， 6-32或M3螺丝热阻RθJCRθJARθJA结到外壳yyj参数典型值。马克斯。1.3840110单位° C / W结到环境（印刷电路板安装）结到环境jij–––––––––HEXFET(R)是国际整流器公司的注册商标。111/24/03IRFR/U2905Z电气特性@ TJ= 25 ℃（除非另有规定）参数V（ BR ） DSS?V（ BR ） DSS/?TJRDS （ ON）VGS （ TH）政府飞行服务队IDSSIGSSQgQgsQgdRGtD（上）trtD（关闭）tfLDLSC国际空间站COSSCRSSCOSSCOSSCOSSEFF 。漏极至源极击穿电压击穿电压温度。系数静态漏 - 源极导通电阻栅极阈值电压正向跨导漏极至源极漏电流栅 - 源正向漏栅 - 源反向漏总栅极电荷栅极 - 源极充电栅极 - 漏极（ &Miller& ）充电门输入电阻导通延迟时间上升时间打开-O FF延迟时间下降时间内部排水电感内部源极电感输入电容输出电容反向传输电容输出电容输出电容有效输出电容分钟。典型值。马克斯。单位55––––––2.020–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––0.05311.1––––––––––––––––––297.7121.3146631354.57.51380240120820190300––––––14.54.0–––20250200-20044––––––––––––––––––––––––nH–––––––––––––––––––––pFnsOhmnCnAV条件VGS= 0V时，我D= 250uAV / ℃参考至25℃ ，我D= 1毫安毫欧VGS= 10V ，我D= 36AeVSuAVDS= VGS, ID= 250uAVDS= 25V ，我D= 36AVDS= 55V, VGS= 0VVDS= 55V, VGS= 0V ，TJ= 125°CVGS= 20VVGS= -20VID= 36AVDS= 44VVGS= 10VVDD= 28VID= 36ARG= 15OhmVGS= 10VeF = 1MHz时，漏极开路eDG铅之间，6毫米（0.25英寸）。从包而中心的模具接触VGS= 0VVDS= 25V? = 1.0MHz的SVGS= 0V, VDS= 1.0V ， ? = 1.0MHz的VGS= 0V, VDS= 44V ， ? = 1.0MHz的VGS= 0V, VDS= 0V至44Vf源极 - 漏极额定值和特性参数ISISMVSDtrrQrrton连续源电流（体二极管）脉冲源电流（体二极管）二极管的正向电压反向恢复时间反向恢复电荷向前开启时间分钟。典型值。马克斯。单位––––––––––––––––––––––––231636A2401.33524VnsnC条件MOSFET符号展示整体反转p-n结二极管。TJ= 25 ° C，IS= 36A ，VGS= 0VTJ= 25 ° C，IF= 36A ，VDD= 28V的di / dt = 100A / μs的??ee固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的2IRFR/U2905Z1000顶部VGS15V10V8.0V7.0V6.0V5.5V5.0V4.5V1000顶部VGS15V10V8.0V7.0V6.0V5.5V5.0V4.5VID ，漏极 - 源极电流（A ）100底部ID ，漏极 - 源极电流（A ）100底部10104.5V14.5V≤在60μs脉冲宽度TJ = 25°C0.10.111010010.10≤在60μs脉冲宽度TJ = 175℃11010100100VDS ，漏极至源极电压（ V）VDS ，漏极至源极电压（ V）图1 。典型的输出特性图2 。典型的输出特性1000.050政府飞行服务队，正向跨导（ S）ID ，漏 - 源电流(Α)T J = 175℃40100.0T J = 175℃30T J = 25°C2010.0T J = 25°CVDS = 25V≤在60μs脉冲宽度1.04.05.06.07.08.09.010.010VDS = 15V380μs脉宽001020304050ID ，漏极 - 源极电流（A ）VGS ，栅 - 源极电压（ V）图3 。典型的传输特性图4 。典型正向跨导与漏电流3IRFR/U2905Z2400VGS = 0V，F = 1 MHz的? ISS = C GS + C GD ，C DS短路? RSS = C GD? OSS = C DS + C GD20ID = 36AVDS = 44VVDS = 28VVDS = 11V2000VGS ，栅 - 源极电压（ V）16C，电容（pF ）1600西塞12001288004测试电路见图13400科斯CRSS0110100001020304050QG总栅极电荷（ NC）VDS ，漏极至源极电压（ V）图5 。典型的电容比。漏极至源极电压图6 。典型栅极电荷比。栅极 - 源极电压1000.01000在这一领域限于由R DS （ ON）100.0T J = 175℃10.0T J = 25°C1.0VGS = 0V0.10.20.61.01.41.82.2VSD ，源toDrain电压（ V）ID ，漏极 - 源极电流（A ）ISD ，反向漏电流（ A）10010100usec1TC = 25°CTJ = 175℃单脉冲1101msec10msec0.11001000VDS ，漏toSource电压（V ）图7 。典型的源极 - 漏极二极管正向电压图8 。最大安全工作区4IRFR/U2905Z702.0RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻（归一化）不限按包60ID ，漏电流（ A）ID = 36AVGS = 10V50403020100255075100125150175T C ，外壳温度（ ° C）1.51.00.5-60 -40 -20020 40 60 80 100 120 140 160 180T J ，结温（ ° C）图9 。最大漏极电流比。外壳温度图10 。归一化的导通电阻与温度的关系10热响应（Z thJC ）1D = 0.500.200.100.10.050.020.01τJR1R1τJτ1τ2R2R2R3R3τ3τCττ3τ1τ2RI（ ° C / W）τi（秒）0.120.450.41290.00150.01单脉冲（热反应）0.0011E-0061E-0050.0001CI-τi /日次I /日注意事项：1.占空比D = T1 / T22.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝0.010.10.001T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）图11 。最大有效瞬态热阻抗，结至外壳5PD - 95811汽车MOSFETIRFR2905ZIRFU2905ZHEXFET(R)功率MOSFETD特点●●●●●先进的工艺技术超低导通电阻175 ° C工作温度快速开关重复性雪崩中允许多达TJMAXVDSS= 55VGSRDS （ ON）= 14.5mOhmID= 42A描述专为汽车应用，这HEXFET(R)功率MOSFET采用了最新的处理技术，实现极低的导通电阻每硅片面积。另外这种设计的特点是一个175 ° C的结温工作TURE ，开关速度快，提高了重复性雪崩投资评级。这些功能结合起来，使这个设计非常高效，可靠的装置，用于在汽车应用中使用，并各种各样的其它应用。D- PAKIRFR2905Z马克斯。594242240110I- PAKIRFU2905Z单位A绝对最大额定值参数ID@ TC= 25°C连续漏电流， VGS@ 10V（硅有限公司）ID@ TC= 100℃连续漏电流， VGS@ 10VID@ TC= 25°C连续漏电流， VGS漏电流脉冲IDM?@ 10V（包装有限公司）PD@TC= 25 °C功耗VGSEAS （限热）EAS（测试）IAREARTJT英镑线性降额因子栅极 - 源极电压单脉冲雪崩能量雪崩电流WW / ℃，VmJAmJd0.72± 20单脉冲雪崩能量测试值??h5582看到图12a ， 12b中，15，16-55? + 175重复性雪崩能量工作结存储温度范围g°C300 （ 1.6毫米从案例）10磅的（ 1.1N M）焊接温度，持续10秒安装扭矩， 6-32或M3螺丝热阻RθJCRθJARθJA结到外壳yyj参数典型值。马克斯。1.3840110单位° C / W结到环境（印刷电路板安装）结到环境jij–––––––––HEXFET(R)是国际整流器公司的注册商标。111/24/03IRFR/U2905Z电气特性@ TJ= 25 ℃（除非另有规定）参数V（ BR ） DSS?V（ BR ） DSS/?TJRDS （ ON）VGS （ TH）政府飞行服务队IDSSIGSSQgQgsQgdRGtD（上）trtD（关闭）tfLDLSC国际空间站COSSCRSSCOSSCOSSCOSSEFF 。漏极至源极击穿电压击穿电压温度。系数静态漏 - 源极导通电阻栅极阈值电压正向跨导漏极至源极漏电流栅 - 源正向漏栅 - 源反向漏总栅极电荷栅极 - 源极充电栅极 - 漏极（ &Miller& ）充电门输入电阻导通延迟时间上升时间打开-O FF延迟时间下降时间内部排水电感内部源极电感输入电容输出电容反向传输电容输出电容输出电容有效输出电容分钟。典型值。马克斯。单位55––––––2.020–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––0.05311.1––––––––––––––––––297.7121.3146631354.57.51380240120820190300––––––14.54.0–––20250200-20044––––––––––––––––––––––––nH–––––––––––––––––––––pFnsOhmnCnAV条件VGS= 0V时，我D= 250uAV / ℃参考至25℃ ，我D= 1毫安毫欧VGS= 10V ，我D= 36AeVSuAVDS= VGS, ID= 250uAVDS= 25V ，我D= 36AVDS= 55V, VGS= 0VVDS= 55V, VGS= 0V ，TJ= 125°CVGS= 20VVGS= -20VID= 36AVDS= 44VVGS= 10VVDD= 28VID= 36ARG= 15OhmVGS= 10VeF = 1MHz时，漏极开路eDG铅之间，6毫米（0.25英寸）。从包而中心的模具接触VGS= 0VVDS= 25V? = 1.0MHz的SVGS= 0V, VDS= 1.0V ， ? = 1.0MHz的VGS= 0V, VDS= 44V ， ? = 1.0MHz的VGS= 0V, VDS= 0V至44Vf源极 - 漏极额定值和特性参数ISISMVSDtrrQrrton连续源电流（体二极管）脉冲源电流（体二极管）二极管的正向电压反向恢复时间反向恢复电荷向前开启时间分钟。典型值。马克斯。单位––––––––––––––––––––––––231636A2401.33524VnsnC条件MOSFET符号展示整体反转p-n结二极管。TJ= 25 ° C，IS= 36A ，VGS= 0VTJ= 25 ° C，IF= 36A ，VDD= 28V的di / dt = 100A / μs的??ee固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的2IRFR/U2905Z1000顶部VGS15V10V8.0V7.0V6.0V5.5V5.0V4.5V1000顶部VGS15V10V8.0V7.0V6.0V5.5V5.0V4.5VID ，漏极 - 源极电流（A ）100底部ID ，漏极 - 源极电流（A ）100底部10104.5V14.5V≤在60μs脉冲宽度TJ = 25°C0.10.111010010.10≤在60μs脉冲宽度TJ = 175℃11010100100VDS ，漏极至源极电压（ V）VDS ，漏极至源极电压（ V）图1 。典型的输出特性图2 。典型的输出特性1000.050政府飞行服务队，正向跨导（ S）ID ，漏 - 源电流(Α)T J = 175℃40100.0T J = 175℃30T J = 25°C2010.0T J = 25°CVDS = 25V≤在60μs脉冲宽度1.04.05.06.07.08.09.010.010VDS = 15V380μs脉宽001020304050ID ，漏极 - 源极电流（A ）VGS ，栅 - 源极电压（ V）图3 。典型的传输特性图4 。典型正向跨导与漏电流3IRFR/U2905Z2400VGS = 0V，F = 1 MHz的? 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ISS = C GS + C GD ，C DS短路? RSS = C GD? OSS = C DS + C GD20ID = 36AVDS = 44VVDS = 28VVDS = 11V2000VGS ，栅 - 源极电压（ V）16C，电容（pF ）1600西塞12001288004测试电路见图13400科斯CRSS0110100001020304050QG总栅极电荷（ NC）VDS ，漏极至源极电压（ V）图5 。典型的电容比。漏极至源极电压图6 。典型栅极电荷比。栅极 - 源极电压1000.01000在这一领域限于由R DS （ ON）100.0T J = 175℃10.0T J = 25°C1.0VGS = 0V0.10.20.61.01.41.82.2VSD ，源toDrain电压（ V）ID ，漏极 - 源极电流（A ）ISD ，反向漏电流（ A）10010100usec1TC = 25°CTJ = 175℃单脉冲1101msec10msec0.11001000VDS ，漏toSource电压（V ）图7 。典型的源极 - 漏极二极管正向电压图8 。最大安全工作区4IRFR/U2905Z702.0RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻（归一化）不限按包60ID ，漏电流（ A）ID = 36AVGS = 10V50403020100255075100125150175T C ，外壳温度（ ° C）1.51.00.5-60 -40 -20020 40 60 80 100 120 140 160 180T J ，结温（ ° C）图9 。最大漏极电流比。外壳温度图10 。归一化的导通电阻与温度的关系10热响应（Z thJC ）1D = 0.500.200.100.10.050.020.01τJR1R1τJτ1τ2R2R2R3R3τ3τCττ3τ1τ2RI（ ° C / W）τi（秒）0.120.450.41290.00150.01单脉冲（热反应）0.0011E-0061E-0050.0001CI-τi /日次I /日注意事项：1.占空比D = T1 / T22.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝0.010.10.001T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）图11 。最大有效瞬态热阻抗，结至外壳5
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