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威海多晶钨钼科技有限公司
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威海多晶钨钼科技有限公司公司简介
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是由李猛进博士与业内专家共同投资发起的集研发、生产和销售于一体的高新技术企业。依靠一流的专家团队，着眼于国际领先的创新技术，形成了以钨、钼、铼为主的材料和产品系列。材料主要包括：纯钨、纯钼、高纯铼；掺杂钨，掺杂钼；钨合金系列、钼合金系列以及铼合金系列；产品主要包括丝、棒、板系列以及粉末冶金制品系列。
专业铸就品质。多晶科技秉承“学以致用”的理念，凭借专家团队对钨、钼、铼材料制造工艺和应用市场的精准掌握，高效的开展研究、开发与生产，以满足不同客户需求，多快好省的服务于客户。
真诚的欢迎国内、外客户和社会各界人士前来开展技术咨询、业务联系和双赢合作！
威海多晶钨钼科技有限公司产品信息
威海多晶钨钼科技有限公司掺杂钨丝
C级能效灯（高端卤素灯）
国内唯一，自主创新
节能灯、高端卤素灯
威海多晶钨钼科技有限公司钨加热子：
广泛应用于真空镀膜，如玻璃、塑料等
威海多晶钨钼科技有限公司细晶粒钨棒材：
高温结构件、零部件等多晶矽是什么意思_多晶矽在线翻译、解释、发音、同义词、反义词_英语单词大全_911查询
多晶矽是什么意思
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多晶矽 双语例句1. 1. 由实验我们观察到金属闸极元件具有较低的闸极穿隧漏电流，这是因为多晶矽与HfSiON会互相作用，造成多晶矽闸极HfSiON界面缺陷密度或HfSiON闸极绝缘层内缺陷密度之产生，因而劣化闸极堆叠之品质。&&&&According to the experiments, we find Metal gate device has which results in a lower direct-tunneling current. It is attributed to the interaction between Poly-Si and HfSiON, the interface trap density of Poly-Si gate and HfSiON or that in the HfSiON gate delectric, and then lowers the quality of gate stacking.2. 多晶矽的高阻抗加上闸极电容会使得信号开关速度变得极慢。&&&&The combination of high poly sheet resistance and gate capacitance can cause such signals to switch very slowly.3. 911查询·英语单词3. 利用酒精与研磨锆珠，在适当研磨条件及离心后可得微小、表面不规则状之矽奈米粒子，平均粒径为4.2±1.6 nm；经过热处理之后，热处理矽奈米粒子之平均粒径会增至10.2±4.4 nm并呈球状结构，两者皆具有高度分散性；经高解析晶格、XRD、Raman分析可得研磨矽奈米粒子呈现体心立方结构，但受到研磨应力及粒径过於微小之影响，结晶性并不强烈；然而经热处理后，粒子与粒子结合，并使矽原子重新排列，结晶性有明显增加之趋势且形成多晶结构；透过ESCA与FTIR分析亦可得知，矽奈米粒子在热处理前后，其矽－矽键能值仅稍微增加，显示表面氧化比例稍为提升但大致维持矽－矽之键结，两者表面都具有二氧化矽及醇类溶剂分子薄层，如此可避免粒子向中心继续氧化，也证明表面未残留任何保护剂；在光学性质方面，利用PL分析得知研磨矽奈米粒子与热处理矽奈米粒子皆可在不同波长光源的激发下，激发出不同放光波长之特性光谱，萤光显微镜之照片及粉末PL分析亦可相互佐证之；此外，UV-vis光谱亦显示两者具有相同之吸收特性峰。&&&&Milled Si nanoparticles were prepared by grinding with the beads of yttrium stabilized ZrO2 in enthanol and separated by the centrifuge. In order to estimate the effects on the pure Si nanoparticles from the thermal decomposition system, milled Si nanoparticles were heat-treated in the solution of dioctyl ether, stabilizers oleic acid and oleylamine. It was found that milled Si nanaparticles had irregular shape with a diameter of 4.2±1.6 nm and that the heat-treated ones were spherical with a larger diameter of 10.2±4.4 nm. Both they preserved the great monodispersion. Their structure, composition, morphology were characterized by the analyses of HRTEM, XRD and Raman scattering. These results revealed that the milled Si nanoparticles had the body-centered cubic structure, not only diamond structure like the bulk Si anymore. The stress from milling and the small size would reduce their crystallinity. After the heat treatment, the atoms of the milled Si nanoparticle would rearrange in the interior, and even combine with each other to form the better poly-crystalline Si nanopartcles. The ESCA analysis of milled Si and heat-treated Si nanoparticles exhibited the almost similar Si-Si binding energy despite a little increase from heat-treated one. The FTIR results indicated that there was a film consisted of SiO2 and ethanol molecules on the surface to prevent it from oxidation, and also proved there were not any stabilizers left on the surface of heat-treated Si nanoparticles. Moreover, when giving the specific wavelength of excitation, the specific PL spectra for the milled Si nanoparticles could be observed, so did heat-treated Si nanoparticles. The optical images and properties were also revealed from optical microscopy, the powder-PL analysis and the UV-vis spectrometer.4. 消息人士补充说iphone可能会采用低温多晶矽，因为板的技术特点，更灵活的电路设计；面板和TPO显示器是唯一的两名台湾人造板制造商所生产的复检小组，目前。&&&&The sources added iPhone will likely adopt low-temperature poly-silicon panels since the technology features a more fle AUO and TPO Displays are the only two Taiwan-based panel makers producing LTPS panels currently.5. 然而，为减少多晶矽薄膜电晶体的寄生电阻，在很多研究里采用了完全镍自我对准矽化反应去解决这个问题。&&&&However, metal gate let integration be difficult with the self-aligned process.6. 在本篇论文中，我们制作了一种具有奈米通道的多晶矽和多晶矽锗薄膜电晶体，并且分析其特性。&&&&In this thesis, we fabricated a novel TFT with nanowire channels and analyzed its characteristics.7. 也因此，如何提升低温多晶矽薄膜电晶体的效能是非常重要的。&&&&Therefore, there is great interest in improving the performance of LTPS TFTs.8. danci.911cha.com8. 本论文主要研究低温多晶矽薄膜电晶体的非匹配效应。&&&&In this thesis, we investigate the mismatch issue for LTPS TFTs.9. 9. 在本实验中，我们也制作了具有双闸极奈米通道的多晶矽薄膜电晶体。&&&&In addition, the major leakage paths of the poly-SiGe devices are found to be different from those in the poly-Si ones.10. 在本文中，我们将对低温多晶矽薄膜电晶体(low temperature poly-Si TFTs)的元件特性作一统计性的研究。&&&&In this thesis, the variation characteristics of LTPS TFTs are statistically investigated.11. 11. 在本论文中，我们使用由Warren等人所发展出的多晶相相场模式(polycrystalline phase field model)并结合由Eggleston所提出模拟小面生长的相场模式，首次用以探讨多晶矽在不同过冷度下的熔体生长行为。&&&&&&In this thesis, we combine the polycrystalline phase field model proposed by Warren et al., with the highly anisotropic surface energy phase field model proposed by Eggleston et al. to study the growth behaviors of the polycrystalline silicon under different undercooling of the melt.12. 此外，在本论文中，我们也制作了五种元件，从电性结果来看，我们发现多晶矽的存在可以增加多晶锗薄膜的结晶性，而且当多晶矽是被沈积在源极和汲极端的多晶锗薄膜的下方时，多晶矽对电性的影响是最明显的。&&&&&&From the electrical characteristics, we discovered that poly-Si can increase the crystallinity of poly-Ge and this apparent effect occurs when poly-Si is deposited under the poly-Ge film at the S/D region.13. 13. 将纯度较高的氟化矽铵盐在氢氩气氛中加热到500℃以上，可制造出冶金级的多晶矽，由XRD、SEM、FTIR与热分析之实验结果显示，在还原气氛中经热处理后所得之粉体为多晶矽，此种方法可以作为制造冶金矽的新方法，进而制备出太阳能产业级的多晶矽。&&&&&&The UMG polysilicon can be produced by heating the purified (NH4)2SiF6 above 500℃ in H2/Ar atmosphere. FTIR and XRD results show that amorphous polysilicon granules can be prepared after heat-treatment of (NH4)2SiF6 in a reducing atmosphere. The reduction of silicofluoride salts is a viable method for the production of UMG-Si.14. 因此，本论文之低偏差电压轨到轨输出缓冲器可应用於高解析度高色彩深度之薄膜电晶体液晶显示器。而提出之可应用於低温多晶矽的第一与第二输出缓冲器以及电压位准转换器有机会应用於低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器面板。&&&&&&Therefore, the low offset voltage rail-to-rail buffer amplifiers can be applied for high resolution and high color depth TFT-LCDs and the proposed buffer amplifier I, II and level shifter have potential to be used for LTPS-TFT-LCD panels.15. 我们也研究了这项技术中不同的极快速热退火温度和多晶矽厚度制程的电性以及可靠度特性。&&&&&&Various temperatures of post-spike anneal and thicknesses of poly-silicon are both investigated on electrical and reliability characteristics.16. 在第二部份，我们提出了两个由低温多晶矽制程制做之可应用於资料线驱动电路的输出缓冲器以及一个电压位准转换器。&&&&&&In the second section, the proposed output buffer I and II and the proposed low power level shifter had been developed by using a 5-μm low temperature poly silicon process technology.17. 摘要目前次世代显示器主动式有机发光二极体的发展成为全球瞩目的焦点，AMOLED主要虽是以低温多晶矽技术为主，但a-Si：H TFT具制程稳定及良率高的优点，因此研发a-Si：H TFT驱动电路为主的小尺寸AMOLED面板仍具竞争优势。&&&&&&Active matrix organic light emitting diodes have gained a much interesting focus in the world wide. The LTPS are widely fabricated technologies on AMOLED, but a-Si:H thin film transistors still have own stable and high yield fabrication processes. To develop a-Si:H TFTs drivers for the applications of AMOLED panels are still rival commodities.18. 平均而言，结晶模块价格下降37.8％，2009年，太阳能矽片的价格下降了50％，多晶矽的价格暴跌80％。&&&&&&On average, crystalline module prices fell by 37.8% in 2009, solar wafer prices plunged by 50% and polysilicon prices crashed by 80%.19. 19. 本论文是利用金属诱发结晶法，选用银做为诱发结晶的金属，诱发非晶矽在低温下成长成为多晶矽的技术，论文中以玻璃做为基板，玻璃上镀一层约为100奈米的非晶矽，此二层作为基础试片，以蒸镀法将银镀在基础试片的非晶矽上面，厚度约为250nm，在於石英炉管中以真空退火350~550度、60~300分钟，初步结果发现银的确可以诱发非晶矽的再结晶，而此结晶形状为较为少见的甜甜圈状，当增加退火温度时，再结晶的晶粒大小、晶粒数目和晶粒面积占各个pattern的百分比都会有明显的增加，当退火温度达到550度时，增加的幅度更是明显。&&&&&&In this thesis, crystallization of a-Si films on glass substrate using silver induced crystallization technique at low temperature has been studied. An amorphous silicon layer (about 100 nm) coated on the glass and then coated silver layer (about 250 nm) by thermal evaporation coating machine. The sample was put in the quartz tube annealing at 350~550 ℃ for 60~300 minutes with vacuum. The result found that silver could induce the crystallization of amorphous silicon at low temperature. The crystallization form was doughnut shape, which has never been observed. When the annealing temperature increased, the size of crystalline grain, number of nuclei and percentage of doughnut area per pattern area obviously increased.20. 本论文主要由统计的观点探讨低温多晶矽薄膜电晶体的均匀性以及其在应用上的影响。&&&&&&This thesis studies the uniformity issue of low temperature poly-silicon thin film transistor with a statistical method.多晶矽是什么意思,多晶矽在线翻译,多晶矽什么意思,多晶矽的意思,多晶矽的翻译,多晶矽的解释,多晶矽的发音,多晶矽的同义词,多晶矽的反义词,多晶矽的例句,多晶矽的相关词组,多晶矽意思是什么,多晶矽怎么翻译,单词多晶矽是什么意思常用英语教材考试英语单词大全 (7本教材)
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多晶金刚石
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多晶金刚石（微粉）是利用独特的定向爆破法由石墨制得，高爆速炸药定向爆破的冲击波使金属飞片加速飞行，撞击石墨片从而导致石墨转化为多晶金刚石。其结构与天然的极为相似，通过不饱和键结合而成，具有很好的韧性。
多晶金刚石多晶金刚石介绍
北京国瑞升科技有限公司
多晶金刚石多晶金刚石特点
结构与天然的Carbonado极为相似，由球形的微晶聚集而成，微晶尺寸仅有3-10nm。
优异的磨削性能：高的去除率和韧性，具有自锐性
与比起来，更不容易产生表面划伤
更适合用来研磨表面由不同硬度材料构成的工件
多晶金刚石多晶金刚石生产工艺
多晶金刚石最初的生产发明是由美国的杜邦公司发明的。生产的关键在于必须采用爆轰法才能获得微粉的原料。
北京国瑞升科技有限公司
多晶金刚石多晶金刚石应用领域
作为精密磨料，用于、磁头、硬盘、硬质玻璃和晶体、陶瓷以及硬质合金的超精密研磨和抛光，如用于LED蓝宝石的减薄。
作为镀膜添加剂，用于金属模具、工具、部件等的镀膜，能够大大提高表面耐磨性、表面硬度、延长使用寿命。 　主要用于研磨，一般配制成来使用。
也有可能制作刀具，切割时不容易产生崩裂。多晶X射线衍射_百度百科
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多晶X射线衍射
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用 X射线衍射法研究多晶样品的成分和结构的一种实验方法，也称粉末法。多晶是指由无数微细晶粒组成的细粉状样品或块状样品。
多晶X射线衍射分类
多晶X射线衍射
多晶衍射有照相法和衍射仪法两类。常用的粉末照相法为德拜-谢乐法（图 1）。相机为一金属圆筒，内径通常为57.3毫米或114.6毫米,样品装在圆筒的中心轴线上，通过马达带动使它不停地转动；紧贴内壁放置长条形X光底片；入射的单波长X射线经准直管作用在样品上，穿透样品后的 X射线进入射线收集器而被吸收。
当单波长X射线照到一个细晶上时，若某一晶面与入射线的交角满足布喇格方程（见）的要求，则在衍射角2θ处产生衍射线，在底片上形成一衍射点(图2)。由于粉末样品中晶粒的取向是随机的，每一组晶面(hkl)都能给出相应张角为4θ的圆锥形衍射线，作用在长条底片上就形成了一对对弧线。测量任意一条衍射线与出射孔中心的距离L和入射孔与出射孔间的距离Lk，可算出该衍射线对应的衍射角θ，结合所用的波长λ，代入布喇格方程,可算出晶面间距d值。θ=(L/Lk)×90°；d=2λ/sinθ。用目测法或测微光度法测量各衍射线的强度I，就可获得一组d-I数据。将所得d-I数据与标准数据对照，即可鉴定样品的物相。
多晶X射线衍射原理
多晶X射线衍射
多晶衍射仪法的原理与照相法类似，只是用射线记数器记录衍射线的位置和强度，加上与电子计算机联用，可使测量的准确度高、分辨能力强且迅速方便，并能自动将样品的数据与计算机贮存的标准数据对照而鉴定样品的物相。多晶电阻是什么意思_百度知道
多晶电阻是什么意思
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同理单晶体也可转变为多晶体，这种晶体称之为多晶体，如金属铜和铁：有的晶体是由许许多多的小晶粒组成，若晶粒之间的排列没有规则。电阻大的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。电阻与物质的结构有很大的关系，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别1.区别单晶体和多晶体答，物质对电流的阻碍作用就叫该物质的电阻。电阻小的物质称为电导体，简称导体。但也有晶体本身就是一个完整的大晶粒，即物质结构决定的物质中电子的能力。3.你说的无电阻是绝缘体，单晶和多晶目前主要用于半导体，没电阻的不能导电.多晶与单晶体的差异主要表现在物理性质方面。例如单晶硅和多晶硅，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，这种晶体称之为单晶体，如水晶和晶刚石。晶体中各原子或离子定向有序排列的就是单晶体,反之则是多晶体,在一定条件下多晶体可转变为单晶体，但真正的鉴别须通过测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。2.你说的电阻，是电阻率的问题，电阻，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，不能用
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