场效应管如何做开关使用，硬件如何连，单片机如何控制？_百度知道
场效应管如何做开关使用，硬件如何连，单片机如何控制？
我手里有一个型号为IRF640N的场效应管，即一个N沟道的MOS管，然后我现在想把它当做开关来使用，不知道如何操作，场效应管查资料说场效应管是电压控制元件，也就是在做开关使用时只要门极电压达到一定的数值就可以使得漏极和源极导通，从而起到开关的作用。我现...
我有更好的答案
1、串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。2、也许3.3V电压太低，不能使场效应管开启。解决方案：（1）在P1.0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。（2）如果不行，说明3.3V电压太低，不能使场效应管开启。那么最好改用三极管；如果坚持使用场效应管，需要中间增加一级三极管电路。用1只9014，集电极接栅极，栅极接电阻R35（改成5-10K），再接电源；9014发射极接地；9014基极接P1.0，P1.0到电源之间接一个10K的上拉电阻。此时低电平有效，不再是原来设计的高电平有效。3、记得好像小功率管可以互换，不知道大功率管可以不。
采纳率：41%
如果只是要控制12V继电器开合,是不是太浪费了呢,一个IRF640要3块钱左右,用一个三极管不是很好吧,如果要驱动IRF640还得用到光耦,成本太大,如果要用的话图上的就可以,光耦那里是4路的,你选一路就行了&,P1.0给出一个低电平到PC817的2脚&图可看出&即可
你去查查IRF640的驱动方法吧。这两颗参数类似，IRF640N是IRF640的改进型，导通电阻要小一些这颗mos驱动Vgs电压至少超过10V以上拿3.3V电压肯定控制不了的。加一级三极管或者光偶把控制电平提升到12V试试
你这是P沟道
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中国新技术新产品2015　ＮＯ.1
China New Technologies and Products
工 业 技 术
浅谈场效应管开关特性
（永城职业学院，河南
要 ：本文分析了场效应管的结构，介绍了其作为开关应用时的条件及工作原理，重点分析了开关特性：动态特性、
输出特性、静态特性；同时，分析影响它作为开关工作的不利因素，及各种损耗，并且采取一定的措施，来提高工作效率。
利用场效应管作为开关的优点，应用于不同电路中，充分发挥效应管作为开关的优势，为电器所服务。
关键词 ：场效应管；静态特性；动态特性
中图分类号 ：TM23
文献标识码 ：A
1 场效应管开关工作原理
2 场效应管开关特性
场效应管结构 。按导 电沟道极性
静态特性 。静态特性指场效应管
可分为 P 沟道和 N 沟道
。按栅极对沟道
的输出、转移特性 。
的控制方式分为耗尽型和增强型。S 为源
2.1.1 输出特性 。以栅源电压 U
极 ，D 为漏极 ，G 为栅极 。按工作原理分
变量反映漏极 电流 Id
与漏源 电压 Uds
结型、绝缘栅型。
系的曲线为输出特性 。它分为三个 区域 ：
场效应管开关 的工作原理 。场效
非饱和区 I、饱和区 II、雪崩 区 III ，在饱
应管是一种单极型电压控制器件 ，具有 自
和区，漏极 电流不随漏源电压变化 。非饱
关断能力 。若在场效应管 的栅极
较小 ，当 Uds 为常数 时 ，Id
和源极 （N 区 ）之间加上一个反 向电压 （栅
几乎呈线性关系 ，当大于一定 电压值后 ，
图 1 输出特性
负压 ），改变 EG 的大小 ，可 以改变耗尽
漏 极 PN 结 发 生 雪 崩 击 穿 ，进 入 雪 崩 区
区的厚度 ，从 而改变漏极 电流 ID
III ，漏 电流突然增大器件损坏 。
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当栅压负到一定程度时 ，耗尽区将全部 占
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之间的关系 ，
领 N 型沟道所具有 的位置 ，漏极 电流等
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表示 ，非线性 （I
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电压的变化而变化 。
动态特性 。动态特性影 响场效应
场效应管 的栅压 为零 时 ，漏源两极
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型号FQPF12N60C FIR12N60F
材料硅(Si)
封装形式TO-220F
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集成电路(IC)
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品牌AME/安茂微
型号AME5140AEEVADJZ
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沟道类型其他
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品牌Vishay/威世通
型号SI1410EDH
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品牌Toshiba/东芝
型号2SK3569
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沟道类型其他
材料硅(Si)
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集成电路(IC)
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封装外形P-DIT/塑料双列直插
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集成电路(IC)
所在地：广东 深圳
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品牌TOSHIBA/东芝
型号2SD799
封装形式TO-220
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所在地：广东 深圳
型号BTS282Z
种类结型(JFET)
沟道类型N沟道
导电方式耗尽型
用途MOS-ARR/陈列组件
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品牌FUJI/富士通
型号2SC2625
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用途V-FET/V型槽MOS
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种类绝缘栅(MOSFET)
沟道类型N沟道
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