一个 41.387kΩ的电阻(电阻允许误差差 ±5%、额定功率 0.5w)可以选用哪种电阻?为什么?

上海艾为电子技术股份有限公司公开转让说明书

上海艾为电子技术股份有限公司 公开转让说明书 主办券商 申万宏源证券有限公司 二○一五年四月 i 声明 本公司及全体董事、监事、高级管理人员承诺公开转让说明书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。 本公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证公开转让说明书中财务会计资料真实、完整。 全国中小企业股份转让系统有限责任公司(以下简称“全国股份转让系统公司”)对本公司股票公开转让所作的任何决定或意见,均不表明其对本公司股票的价值或投资者的收益作出实质性判断或者保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。 根据《证券法》的规定,本公司经营与收益的变化,由本公司自行负责,由此变化引致的投资风险,由投资者自行承担。 ii 重大事项提示 公司在生产经营过程中,由于所处行业及自身特点所决定,特提示投资者应对公司以下重大事项或可能出现的风险予以充分关注: 一、实际控制人不当控制的风险 孙洪军现持有公司.cn 董事会秘书:杨婷 组织机构代码: 所属行业:根据《上市公司行业分类指引(2012 年修订)》,公司所处行业 为“C39-计算机、通信和其他电子设备制造业”;根据《国民经济行业分类与代码》(GB/T),公司所处行业为“C3963-集成电路制造”。 主营业务:模拟、射频和数模混合IC产品的设计、研发、生产外包管理和销售。 二、股票挂牌情况 (一)股票代码: (二)股票简称: (三)股票种类:人民币普通股 (四)每股面值:1.00元 (五)股票总量:2,000.00万股 (六)挂牌日期: 1 (七)股东对所持股份自愿锁定的承诺:无 (八)股东所持股份限售情况: 《公司法》第一百四十一条规定:“发起人持有的本公司股份,自公司成立之日起一年内不得转让。公司公开发行股份前已发行的股份,自公司股票在证券交易所上市交易之日起一年内不得转让。公司董事、监事、高级管理人员应当向公司申报所持有的本公司的股份及其变动情况,在任职期间每年转让的股份不得超过其所持有本公司股份总数的百分之二十五;所持本公司股份自公司股票上市交易之日起一年内不得转让。上述人员离职半年内,不得转让其所持有的本公司股份。公司章程可以对公司董事、监事、高级管理人员转让其持有的本公司股份做出其他限制性规定”。 《全国中小企业股份转让系统业务规则》第2.8条规定,“挂牌公司控股股东及实际控制人在挂牌前直接或间接持有的股票分三批解除转让限制,每批解除转让限制的数量均为其挂牌前所持股票的三分之一,解除转让限制的时间分别为挂牌之日、挂牌期满一年和两年。挂牌前十二个月以内控股股东及实际控制人直接或间接持有的股票进行过转让的,该股票的管理按照前款规定执行,主办券商为开展做市业务取得的做市初始库存股票除外。因司法裁决、继承等原因导致有限售期的股票持有人发生变更的,后续持有人应继续执行股票限售规定。” 《公司章程》第二十七条规定,“发起人持有的本公司股份,自公司成立之日起1年内不得转让。公司控股股东及实际控制人在挂牌前直接或间接持有的股票分三批解除转让限制,每批解除转让限制的数量均为其挂牌前所持股票的三分之一,解除转让限制的时间分别为挂牌之日、挂牌期满一年和两年”。 《公司章程》第二十七条规定,“公司董事、监事、高级管理人员应当向公司申报所持有的本公司的股份及其变动情况,在任职期间每年转让的股份不得超过其所持有本公司股份总数的25%;上述人员离职后半年内,不得转让其所持有的本公司股份”。 除上述情况外,公司全体股东所持股份无冻结、质押或其他转让限制情况。 股份公司成立于2014年12月23日,截至公司股份在全国股份转让系统挂牌之日,股份公司成立尚未满一年,无可公开转让股份。 (九)股票转让方式:协议转让 2 三、公司股权基本情况 (一)公司股权结构图 (二)控股股东、实际控制人、前十名股东及持股5.00%以上股东的持股情况 1、控股股东、前十名股东及持股5.00%以上股东的持股情况如下: 序号 股东 持股数量(股) 上述股东之间均无关联关系。 3、公司控股股东、实际控制人基本情况 孙洪军持有公司58.95%股份,为公司第一大股东,且为公司董事长兼总经 3 理。因此,孙洪军为公司控股股东及实际控制人。 孙洪军,男,1973年7月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,工程师,现任董事长兼总经理,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1990 年9月至1997年4月,于东南大学攻读半导体器件与微电子学专业;1997年4月至2002年9月,担任华为技术有限公司基础业务部工程师、技术副专家;2002年9月至2008年4月,担任启攀微电子(上海)有限公司产品总监;2008年6月至今至2014年12月,担任艾为有限执行董事、总经理;2014年12月至今,担任股份公司董事长、总经理。 4、公司控股股东及实际控制人最近两年内变化情况 最近两年内,孙洪军为公司第一大股东,且一直担任公司董事长(执行董事)兼总经理。因此,最近两年内,公司控股股东及实际控制人均是孙洪军,没有发生变化。 四、公司历次股权变更 (一)有限公司成立 上海艾为电子技术股份有限公司前身为上海艾为电子技术有限公司,于2008年6月18日在上海市工商行政管理局徐汇分局依法登记成立。有限公司成立时,注册资本为500.00万元,实收资本500.00万元。 2008年6月6日,上海明宇大亚会计师事务所有限公司出具了《验资报告》[沪明字验(2008)第1223号],验证截至2008年6月4日,艾为有限(筹)已收到全体股东缴纳的注册资本(实收资本)合计人民币500.00万元,股东均以货币出资。 2008年6月18日,艾为有限取得上海市工商行政管理局徐汇分局核发的《企业法人营业执照》(注册号:653)。 (二)有限公司第一次股权转让及第一次增资 2010年1月5日,艾为有限召开股东会并做出决议,同意股东张新梅将其持有的19.40%的股权(对应出资金额97.00万元)转让给焦建堂;同意股东李烨将其持有的16.20%的股权(对应出资金额81.00万元)转让给张忠。同日,转让双方签署了《股权转让协议》,每一元出资额转让价格为1元,转让价格参照公司每一元出资额所占净资产额确定。 2010年1月5日,艾为有限股东会做出决定,同意将注册资本增加至1,000.00万元,新增注册资本500.00万元由原股东及新增股东认缴,其中焦建堂认缴新增注册资本112.00万元,张忠认缴新增注册资本52.00万元,程剑涛认缴新增注册资本69.00万元,新增股东郭辉认缴新增注册资本200.00万元,新增股东马云峰认缴新增注册资本67.00万元。每一元出资额的增资价格为1元,价格参照公司每一元出资额所占净资产额确定。 2010年2月1日,上海天衡会计师事务所有限公司出具了《验资报告》(天衡会验(2010)第112号),确认截至2010年1月27日,艾为有限已收全体股东缴纳的新增注册资本500万元,均以货币形式出资。 2010年2月21日,艾为有限完成了上述事项的工商变更登记。 上述股权转让及增资完成后,艾为有限的股权结构如下: 序号 股东 出资金额(元) 出资比例(%) 出资方式 1 货币 (三)有限公司第二次增资 2011年2月11日,艾为有限召开股东会并做出决议,同意将公司注册资本增加至2,000.00万元,新增注册资本1000.00万元,由孙洪军认缴677.40万元、焦建堂认缴70.60万元、郭辉认缴90.00万元、程剑涛认缴62.00万元、张忠认缴67.00万元、马云峰认缴33.00万元。每一元出资额的增资价格为1元,价格 5 参照公司每一元出资额所占净资产额确定。 2011年2月22日,上海汇洪会计师事务所有限公司出具《验资报告》(汇洪验(2011)031号),确认截至2011年2月17日,公司已收到孙洪军、焦建堂、郭辉、程剑涛、张忠、马云峰缴纳的新增注册资本合计1,000.00万元,均以货币形式出资。 2011年3月3日,艾为有限完成了上述事项的工商变更登记。 6 马云峰 1,000,000.00 5.00 货币 合计 20,000,000.00 100.00 货币 (四)有限公司第二次股权转让 2013年5月20日,艾为有限召开股东会并做出决议,同意孙洪军将其持有的艾为有限5.00%股权(对应出资金额100万元)转让给汪永宁。 2013年5月20日,孙洪军与汪永宁签订《股权转让协议》,孙洪军将其持有的艾为有限5.00%股权(对应出资金额100万元)转让给汪永宁。每一元出资额转让价格为1元,价格由转让双方协商确定。 2013年6月8日,艾为有限完成了上述事项的工商变更登记。 上述股权转让完成后,艾为有限的股权结构如下: 序号 股东 出资金额(元) 出资比例(%) 出资方式 1 孙洪军 2014年5月27日,艾为有限召开股东会并做出决议,同意孙洪军受让汪永宁持有的艾为有限5.00%股权(对应出资金额100.00万元)、郭辉持有的艾为有限4.50%的股权(对应出资金额90.00万元)、焦建堂持有的艾为有限3.98%的股权(对应出资金额79.60万元)、程剑涛持有的艾为有限3.00%的股权(对应出资金额60.00万元)、张忠持有的艾为有限3.00%的股权(对应出资金额60.00万元)、马云峰持有的艾为有限1.00%的股权(对应出资金额20.00万元)。 2014年5月27日,汪永宁、郭辉、焦建堂、程剑涛、张忠、马云峰分别与孙洪军签订《股权转让协议》,分别将其持有的艾为有限5.00%股权(对应出资金额100.00万元)、4.50%股权(对应出资金额90.00万元)、3.98%股权(对应出资金额79.60万元)、3.00%股权(对应出资金额60.00万元)、3.00%股权(对应出资金额60.00万元)、1.00%股权(对应出资金额20.00万元)转让给孙洪军。 每一元出资额转让价格均为1元,价格由转让双方协商确定。 2014年6月23日,艾为有限完成了上述事项的工商变更登记。 上述股权转让完成后,艾为有限的股权结构如下: 序号 股东 出资金额(元) 出资比例(%) 出资方式 1 孙洪军 12,280,000.00 61.40 货币 2 焦建堂 2,000,000.00 10.00 货币 3 郭辉 2,000,000.00 2014年11月12日,艾为有限召开股东会,同意孙洪军将其持有的艾为有限8.45%股权(对应出资额169.00万元),按下表所示比例及出资额分别转让给吴绍夫、杨婷、娄声波等31人,每一元出资额转让价格为2元,价格参照公司每一元出资额所占净资产额;该次股权转让系为引入员工持股。 序号 受让人 受让股权比例(%) 受让出资额(元) 1 吴绍夫 3..00 2 备注:公司股东存在同名情况,即有两位“李俊杰”,姓名后注四位数字为身份证后四位号码。 2014年11月28日,艾为有限召开股东会,同意焦建堂将其持有的艾为有限6.00%股权(对应出资额120.00万元)转让给孙洪军。2014年11月28日,焦建堂与孙洪军签订《股权转让协议》,焦建堂将其持有的艾为有限6.00%股权(对应出资金额120.00万元)转让给孙洪军,每一元出资额转让价格为2元; 该次股权转让系因焦建堂离职,价格参照前次股权转让价格。 20,000,000.00 100.00 货币 9 (七)有限公司整体变更为股份公司 2014年11月28日,大信会计师事务所(特殊普通合伙)出具了大信审字(2014)第4-00347号审计报告,有限公司2014年10月31日经审计的账面净资产为人民币34,832,761.56元。 2014年11月30日,上海申威资产评估有限公司出具了沪申威评报字(2014)第0646号评估报告,有限公司2014年10月31日经评估的净资产为36,116,578.67元,评估增值521,686.44元,增值率为1.47%。 2014年12月16日,艾为有限召开股东会,全体股东一致同意“根据《中华人民共和国公司法》等法律法规的规定,将公司整体变更设立为上海艾为电子技术股份有限公司(以下简称“股份公司”),公司享有的资产及负债全部由股份公司依法承继;并同意以2014年10月31日为改制审计基准日,以公司经审计的净资产值人民币34,832,761.56元按照1:0.57的折股比例折合为股份公司股份2,000.00万股,股份公司注册资本为人民币2,000.00万元”。 2014年12月16日,各发起人签署了关于设立上海艾为电子技术股份有限公司的《发起人协议》。各发起人在股份公司中的持股数量及持股比例,与有限公司第五次股权转让后各发起人的出资金额及出资比例相同。 2014年12月17日,有限公司召开了职工代表大会,选举了股份公司第一届职工代表监事,任期三年,自公司登记机关向股份公司核发《营业执照》之日起算。 2014年12月18日,公司各发起人依法召开了股份公司2014年第一次临时股东大会暨创立大会,审议通过了股份公司章程,并选举了公司第一届董事会成员及第一届监事会非职工代表监事,任期三年,自公司登记机关向股份公司核发《营业执照》之日起算。 2014年12月18日,股份公司第一届董事会召开了第一次会议,选举了董事长、聘任了第一届高级管理人员,任期三年,自公司登记机关向股份公司核发《营业执照》之日起算。 2014年12月18日,股份公司第一届监事会召开了第一次会议,选举了监事会主席。 37 李俊杰(.00 0.0300 净资产 合计 20,000,000.00 100.00 净资产 11 五、公司重大资产重组情况 公司设立以来,没有发生过重大资产重组情况。 六、公司董事、监事、高级管理人员基本情况 (一)董事 (1)孙洪军,现任公司董事长、总经理,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。基本情况详见本节“三、公司股权基本情况”之“(二)控股股东、实际控制人、前十名股东及持股5.00%以上股东的持股情况”。 (2)郭辉,男,1972年10月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,工程师;现任公司董事、副总经理,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1990年9月至1994年7月,于南昌大学攻读物理系应用电子专业(本科);1994年9月至1997年7月,于复旦大学攻读电子工程系半导体物理与半导体器件物理专业(硕士);1997年7月至2002年7月,历任华为技术有限公司中央研发部基础业务部IC设计工程师、中央研发部基础业务部数模部副经理;2002年8月至2008年10月,担任启攀微电子(上海)有限公司副总裁;2008年10月至2014年12月,担任艾为有限常务副总裁;2014年12月至今,担任股份公司董事、副总经理。 (3)娄声波,女,1981年3月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历;现任公司董事、副总经理,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1998年9月至2002年7月,于大连轻工业学院攻读包装工程专业(本科);2002年7月至2004年4月,担任联建(中国)科技有限公司产品部产品工程师;2004年4月至2006年9月,担任可亿隆上海贸易有限公司市场部市场经理;2006年9月至2009年2月,担任启攀微电子(上海)有限公司销售部华东销售经理;2009年2月至2014年12月,担任艾为有限营销副总;2014年12月至今,担任股份公司董事、副总经理。 (4)程剑涛,男,1976年9月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,工程师;现任公司董事,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1993年9月至1997年7月,于哈尔滨工业大学攻读微电子技术专业(本科);1997年8月至1999年7月,担任珠海亚力电子有限公司研发部模 12 拟电路设计工程师;1999年8月至2002年4月,历任华为技术有限公司中央研究部模拟电路设计工程师、项目经理;2002年5月至2008年5月,历任启攀微电子(上海)有限公司研发部项目经理、产品经理;2008年6月至2014年12月,担任艾为有限技术总监;2014年12月至今,担任股份公司董事、技术总监。 (5)张忠,男,1969年3月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生,工程师;现任公司董事,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1986年9月至1990年7月,电子科技大学电子工程系攻读微电子电路与系统专业(本科);1990年8月至1998年2月,历任无锡市华晶电子集团公司中央研究所助理工程师、工程师,期间(1993年9月至1996年4月)于东南大学无线电系攻读电路与系统专业(硕士);1998年3月至2002年7月,历任华为技术有限公司中研基础部芯片设计高级工程师、项目经理;2002年8月至2008年9月,历任启攀微电子(上海)有限公司产品一部项目经理、产品经理;2008年10月至2014年12月,担任艾为有限研发部副部长、高级技术专家;2014年12月至今,担任股份公司董事、研发部副部长、高级技术专家。 (1)王朝,男,1978年9月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,工程师;现任公司监事会主席,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1997年9月至2001年7月,于西安电子科技大学攻读电子材料与元器件专业(本科);2001年8月至2005年2月,担任成都华微电子系统有限公司工程师;2005年5月至2005年12月,担任深圳晶讯软件通讯技术有限公司工程师;2006年4月至2008年5月,担任启攀微电子(上海)有限公司工程师2008年5月至2014年12月,担任艾为有限版图经理;2010年2月至今,于复旦大学集成电路工程专业(工程硕士);2014年12月至今,担任股份公司监事会主席、版图经理。 (2)史亚军,1979年11月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,工程师;现任公司监事,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1998年9月至2002年7月,于电子科技大学攻读电子科学与技术专业(本科);2002年9月至2004年12月,担任无锡友达电子有限公司工程师;2005年1月至2008年5月,担任启攀微电子(上海)有限公司工程师;2008年6月至2014年,担任艾为有限项目经理;2014年12月至今,担任股份公司监事、项目 (3)徐颋,男,1974年10月出生,中国国籍,无境外永久居留权,高中学历;现任公司监事(职工代表),任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1990年9月至1993年6月,于上海市华东师范大学第三附属中学学习;1993年7月至1997年9月,自由职业者;1997年10月至2004年12月,担任上海绿舟房地产有限公司后勤专员;2005年2月至2010年2月,担任启攀微电子(上海)有限公司后勤专员;2010年2月至2014年12月,担任艾为有限后勤专员;2014年12月至今,担任股份公司监事、后勤专员。 (三)高级管理人员 (1)孙洪军,总经理,基本情况详见本节“三、公司股权基本情况”之“(二)控股股东、实际控制人、前十名股东及持股5.00%以上股东的持股情况”。 (2)郭辉,副总经理,基本情况详见本节“公司董事、监事、高级管理人员基本情况”之“(一)董事”。 (3)娄声波,副总经理,基本情况详见本节“公司董事、监事、高级管理人员基本情况”之“(一)董事”。 (4)杨婷,副总经理,女,1974年5月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生,中级会计师;现任公司副总经理、董事会秘书、财务总监,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1993年9月至1995年6月;于上海铁道大学(现并入同济大学)攻读财务与会计专业(大专);1995年7月至1996年12月,担任上海延申机电有限公司出纳;1997年1月至1998年1月,担任基通国际贸易(上海)有限公司会计;1998年2月至2003年11月,历任兴农股份有限公司大陆事业部会计、行政财务主管、总经理助理;2003年12月至2006年8月,历任启攀微电子(上海)有限公司财务、行政人事经理; 2006年9月至2008年5月,自由职业者;2008年6月至2014年12月,历任艾为有限行政财务经理、综合管理部部长、财务总监、副总经理;2009年9月至2012年12月,于中南财经政法大学攻读MBA(硕士); 2014年12月至今,担任股份公司副总经理、董事会秘书、财务总监。 (5)杜黎明,1980年1月出生,男,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,工程师;现任公司副总经理,任期3年,自2014年12月23日至2017年12月22日。1999年9月至2003年7月,于西安电子科技大学攻读微电子学 14 专业(本科);2003年7月至2005年1月,担任智芯(上海)科技有限公司工程师;2005年1月至2008年6月,担任启攀微电子(上海)有限公司工程师;2008年6月至2014年12月,担任艾为有限产品总监;2014年12月至今,担任股份公司副总经理、产品总监。 七、公司最近两年主要会计数据及财务指标 财务指标 2014年12月31日 2013年12月31日 资产总计(元) 稀释每股收益(元/股) 0.06 0.05 应收账款周转率(次) 7.98 9.20 存货周转率(次) 6.96 6.02 经营活动产生的现金流量净额(元) 9,736,150.45 221,958.56 每股经营活动产生的现金流量净额(元/股) 0.49 0.01 注:1、主要财务指标分析见本公开转让说明书“第四节公司财务”之“二、最近两年的主要财务指 标分析”。 2、计算每股收益的分母以公司当期末的注册资本计算。 3、表格中净资产收益率和每股收益依据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第9号——净资产 收益率和每股收益的计算及披露》(2010年修订)的相关规定计算。 八、与本次挂牌有关的机构 (一)主办券商 15 名称:申万宏源证券有限公司 法定代表人:李梅 住所:上海市徐汇区长乐路989号45层 联系电话:021- 传真:021- 项目小组负责人:于进洋 项目小组成员:于进洋、黄文雄、张祺晟、刘洋 (二)律师事务所 名称:北京市竞天公诚律师事务所上海分所 负责人:陈毅敏 住所:上海市徐汇区淮海中路1010号室 联系电话:021- 传真:021- 经办律师:王健、李翰杰 (三)会计师事务所 名称:大信会计师事务所(特殊普通合伙) 负责人:吴卫星 住所:北京市海淀区知春路1号学院国际大厦1504室 联系电话:010- 传真:010- 经办注册会计师:钟永和、邱正芳 (四)资产评估事务所 名称:上海申威资产评估有限公司 负责人:马丽华 住所:上海虹口区东体育会路816号置汇谷C楼 联系电话:021- 传真:021- 经办注册资产评估师:侯红骏、谭丽 (五)证券交易场所 名称:全国中小企业股份转让系统有限责任公司 16 法定代表人:杨晓嘉 住所:北京市西城区金融大街丁26 号金阳大厦 联系电话:010- 传真:010- (六)证券登记结算机构 名称:中国证券登记结算有限责任公司北京分公司 负责人:王彦龙 住所:北京市西城区金融大街26号金阳大厦5层 电话:010- 传真:010- 第二节 公司业务 一、公司主要业务、主要产品及用途 (一)主要业务 公司主营业务为模拟、射频和数模混合IC产品的设计、研发、生产外包管理和销售,产品定位于高速增长的电子信息领域,主要服务于手机等便携式消费品市场。 公司核心人员拥有资深的专业技术和准确的市场定位能力,主要技术骨干长期从事模拟、数模混合芯片设计开发,掌握了集成电路全流程研发所需技术,并具备大规模量产的供应链管理能力。 作为集成电路设计企业,艾为电子的产品生产全部采用外包加工方式,供应商主要为华润上华、宇芯、日月新、华虹宏力、通富微电、长电科技、长电先进和台积电等国际国内知名厂商。为了确保一流的质量,公司对外包产品生产执行了严格的质量控制流程,公司通过ISO9001质量管理体系的SGS认证,累计交付超过25亿颗芯片。艾为电子已经申请专利39项:其中,已获授权发明专利11项、实用新型专利4项,收到专利申请受理通知书24本;公司申请并获得集成电路布图设计专有权64项,获得国家创新基金和上海市集成电路专项基金等多项政府项目扶持。公司产品和解决方案覆盖大部分国内手机厂商,结合最终消费者需求,在规格和性能方面不断创新,引领市场潮流。 (二)主要产品及用途 艾为电子以“YOUWIN,WEWIN,ALLWIN”为公司管理理念,始终坚持以客户为中心,快速响应客户需求,持续为客户创造长期价值,不断追求上下游合作伙伴的共赢。公司产品主要包括音频类、电源类和射频小器件三大系列。 其中,音频系列,分为音乐功放(D类)和音响功放(K类)两大类产品;电源系列,包含充电管理、背光驱动、闪光灯驱动、OTG产品、LED呼吸灯等芯片产品;射频小器件,主要包括EZ-FM低噪声放大器和GNSS专用低噪声放大器两类产品。 1、音频系列 (1)音乐功放(D类) 18 D类放大器工作原理是通过PWM调制将模拟音频信号转化为高频脉冲信号,利用扬声器及人耳固有滤波特性将脉冲信号还原为音频信号。高达90%的效率和抗EMI干扰是D类放大器的两大特性。 艾为电子独特的EEE(EnhancedEmissionElimination)技术,在全带宽范围内能够极大地抑制EMI干扰,优异的抗干扰能力使艾为D类产品在FCC标准下仍有20dB的裕量。此外,艾为D类功放不会对FM信号产生干扰,保证了FM收听的高信噪比。 艾为D类功放产品包括:AW8155A、AW8155、AW8145、AW8110、AW8010、AW8090等,其中AW8155A是D类功放典型代表产品。 AW8155A是一款带防破音、超强TDD抑制、带有AB类/D类输出切换技术和超低EMI的第二代音乐功放。超低失真度,独特的防破音技术,为体验者带来曼妙的音乐享受。其采用艾为专有的RNS技术和净音技术,有效抑制TDD 19 噪声的产生。AW8155A有0.65W和0.85W两个功率等级,适用于不同喇叭规格,严格控制功率输出,有效保护喇叭。AW8155A内置优异的Pop-Click杂音抑制电路,有效避免了芯片在开启和关断操作时的Pop-Click杂音。并内置过流保护、过热保护及欠压保护功能,有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。 AW8155A提供纤小1.5mm1.5mmFC9封装,额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 (2)音响功放(K类) 在便携产品中,通常采用锂电池供电,锂电池的电压范围是4.2V-3.5V,而大部分时间停留在3.8V左右,所以传统功放由于受到锂电池电压的限制,只能为8欧姆喇叭提供0.8W左右的功率,难以满足用户对便携产品大音量的需求。 要实现大音量输出,突破锂电池电压这个瓶颈是关键,唯一的解决方案是利用升压电路提升电源电压。 2010年1月,艾为电子率先推出K类功放的概念,发布第一代K类功放产品AW8730,迅速获得市场认可,当年销售过两千万颗。 K类功放=电荷泵升压+D类+EEE+NCN 现阶段,K类功放产品包括AW8733、AW8735、AW8736等,代表产品AW8736,是专为提升智能机音质而开发的一款高效率,超低失真,恒定大音量第六代K类音乐功放。采用新一代电荷泵升压技术,K-Chargepump架构,效率高达92%,功放整体效率达到75%,大大延长智能机的使用时间;0.02%的超低失真度和独特的防破音技术带来高品质的音乐享受。AW8736集成K-Chargepump升压电路, 输出功率基本不会随着锂电池电压的降低而下降,使用户享有高品质的音乐播放效果。AW8736有0.8W,1W和1.2W三个功率保护等级,推荐使用额定功率在0.7W及以上的喇叭。其采用艾为专有的TDD-Noise抑制技术和EMI抑制技术,有效抑制TDD-Noise和EMI干扰的产生。此外,AW8736内置过流保护、过热保护和短路保护功能,有效地保护芯片。AW8736采用纤小的2mm×2mmFC-16封装。 艾为电子非常重视用户体验,技术不断进步的同时,产品更新换代也很快,截至目前,K类功放产品已经从第一代更新到第八代。第八代K类音乐功放AW8738即将量产上市。采用Multi-LevelAGC算法,有效消除杂音,纯净音质,更高效率,更低噪声,超低失真度,是其优势所在。 21 2、电源系列 (1)充电管理 注重功能和体验是智能手机厂商近几年来一直追求的目标,随之带来手机硬件及软件的不断提升。回首近几年智能手机的发展历程,从塞班的没落到安卓和IOS的崛起,从MHz到GHz的性能飞跃,从2.8英寸到6.4英寸的尺寸提升,这些改变越来越考验手机的一项重要指标——续航能力。目前市面上主流推出的4核智能旗舰机配置的电池都在2000毫安时以上,大尺寸的手机甚至到了3000毫安时以上。大容量的电池需要更大的充电电流以及更高效率的充电方案。 艾为电子紧跟主流智能机平台发展的需求,不断推出充电管理系列产品,包括AW3206,AW3110,AW3210A等。并与近期推出支持1.5A的开关充电解决方案AW3215A/AW3216,是一款高集成、开关型、高效率、大电流的锂离子电池充电管理控制芯片。其采用最新的开关充电架构极大地提升了充电的效率,大大降低了大电流充电给手机主板带来的温升。 AW3215A/6集成1.35MHz同步降压PWM控制器和功率MOSFET,有效降低了功率损耗。其充电流程包括:激活,涓流,恒流和恒压四个阶段。包括四个环路:恒压,恒流,K-DPMTM和K-TempTM,分别精确控制恒压电压,恒流电流,VBUS电压和芯片结温,在充电过程中,其中的某一个环路起主要作用。专有的K-DPMTM技术,基于VBUS电压动态管理输出功率,减小充电电流而智 能自适应匹配USB或输出功率较小的适配器。专有的K-TempTM技术,可根据芯片温度线性调整充电电流,在保证充电安全和防止过热的同时获得最大的充电速度。AW3215A/6的默认充电终止电流是恒流电流的10%。当充电电流达到该阈值时,芯片输出中断指示。此中断指示的电流阈值可通过CTRL引脚的一线脉冲来配置。AW3215A/6内置全面且强壮的保护电路:18V的VBUS管脚直流耐压,输入OVP保护,充电时的最低VBUS电压保护,电池OVP保护,通过电池NTC电阻监控电池温度,芯片过温保护和防电流反灌功能。其采用纤小的DFN3*3-12L封装,额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 (2)背光驱动 闪屏是手机最常碰到的问题,在手机方案调试和终端客户应用,非常普遍,并且闪屏涉及的原因最多、最复杂,也最难解决。闪屏原因查找首先要确认是本身LCD相关问题导致闪屏还是LED背光导致闪屏。如果是LED背光导致闪屏,需要从LED背光模块入手查找,LED背光闪屏的原因也可以分为应用问题和芯片问题两大类。 艾为背光驱动系列拥有低压降恒流型,电荷泵型,电感升压型三种不同电路架构的十几款产品。能驱动4路到20路LED,覆盖了从3寸到7寸LCD屏的应用。2008年艾为就在业界率先开创性地采用了低压降恒流型架构,独有的“Q-Mirror”技术,支持在40mV压降的情况下,各路LED匹配精度达到1%以内。克服这一关键技术瓶颈后,从而使得低压降恒流型结构无干扰,低成本的先天优势得以发挥。最终艾为的低压降恒流型背光驱动芯片成为中小屏的主流产品。 AW9961,是一款EMI性能和抗闪屏性能极佳的串联WLED驱动器。AW9961艾为采用创新的CDC(ClassificationDriveControl)输出驱动技术,分段调整SW 23 信号上升沿和下降沿的电压变化率(dv/dt)和电流变化率(di/dt),明显提升EMI性能而不牺牲效率,同等条件下测试EMI曲线距离FCC标准有15.821dB裕量。 拥有全新的电路构架,更快的环路响应以及RNS技术,全方位抑制闪屏风险。 AW9961单芯片单引脚同时支持一线数字调光和PWM调光两种调光方式,满足不同客户的不同调光方式需求;一线数字调光优点是不需要持续发调光脉冲,不占用基带资源;PWM调光支持更细腻的调光等级(理论上等级可以无限多),但需要基带持续发调光脉冲。 对应不同的闪屏原因,AW9961的优势如下:第一,低亮度闪屏(5%甚至10%以下亮度),原因是背光芯片的Boost升压使得最小导通时间太长,导致芯片进入PulseSkipping(跳频模式);AW9961的Boost最小导通时间只有其他同类芯片的50%,确保芯片在低至1%输出电流时也不会进入PulseSkipping模式。 第二,射频信号的高频RFI干扰闪屏;高频的射频信号会干扰反馈引脚,甚至会穿透封装干扰芯片内部的关键电路节点,从而引起闪屏;AW9961采用了RNS(RFNoiseSuppression射频噪声抑制)技术,通过内部的特有电路架构和电路设计对RFI干扰进行了全方位的抑制,有效提高闪屏的抑制能力。第三,电源电压抖动引起闪屏;手机射频模块工作时从电池抽取安培级电流会导致电源电压出现217Hz或更低频率的电压抖动,背光芯片输出电流也会随电源电压抖动而调整,如果不能快速跟随电源电压进行缓慢变化,则会发生闪屏;AW9961内部的基准模块、整个Boost环路以及其他电路都经过独有的设计,确保最终的输出电流能快速跟随电源电压变化调整输出电流,降低闪屏风险。 24 (3)闪光灯驱动 智能手机的拍照摄像由于其便捷,易于分享的优势,已经成为大家日常拍照娱乐的首选方式。人们进而也对各种生活场景下的拍照摄像效果提出了更高的要求,比如自拍、视频聊天、夜间或KTV暗光环境下的拍照摄像等,这将要求有更强大的算法及硬件支持,其中就包括对闪光灯驱动芯片更灵活,更高可靠性的要求。 艾为现有的闪光灯驱动芯片AW3641E具有业界最小的导通阻抗(0.4Ω@1XMode,2Ω@2XMode),是首款能够在全电池电压范围内稳定提供1A电流输出的电荷泵型闪光灯驱动芯片。在同类型芯片中,率先实现闪光电流8档可编程,能够基于不同应用场景有针对性地实施不同闪光电流的曝光方案,达到更好的拍照效果。外围简单,无需昂贵的电感,综合成本低,适合高性价比智能手机的应用。 AW3641是一款电荷泵架构闪光灯LED驱动芯片,可以通过外置电阻为闪光灯和手电筒两种应用设置不同的电流。在闪光灯模式下,AW3641具有闪光时间安全保护功能,保证闪光灯的安全工作。可以通过EN引脚的一线脉冲调节闪光安全保护时间。在手电筒模式下,AW3641支持通过PWM方式调节LED的电流。AW3641根据负载情况自动调节电荷泵工作在直通(1X)或者升压(2X)模式,既保证了输出电流恒定,不随LED正向导通压降VF的变化而变化,同时优化了全负载范围内的工作效率。AW3641在手电筒模式下反馈电压只有47mV,采样电阻RSENSE上的功耗很小,最小可以使用封装的电阻。AW3641内置软启动电路限制浪涌电流。此外,还具有过温保护、输出短路和输出过压保护等功能。 (4)OTG产品 USB是手机的标准充电和数据交换接口,如果支持OTG的话它还可以实现上图描述的一系列功能。而这些外部设备都需要手机提供电源,艾为的OTG系列产品的作用就是为了产生这一对外供电的电源。系列代表产品包括AW3632、AW3605、AW3610等,适应不同输出电流,效率的需求。 (5)LED呼吸灯 现阶段,智能机已经实现大规模普及,设计也随之人性化,其中呼吸指示灯就是一个很好的例子。一枚小小的RGB指示灯,可以实现多种信息指示:充电指示、电量过低指示、未接来电和短信等等。 艾为2010年4月首次推出呼吸灯系列产品,独有的GPIO扩展+呼吸灯概念,填补了艾为的空白;2011年8月艾为率先推出自主智能矩阵呼吸方案,为手机增添了一道炫目的彩虹;2013年3月艾为推出容式手势识别+灯效二合一概念,再度为国内的品牌智能机添一抹创意色彩。 艾为拥有专业的灯效设计、应用支持团队。艾为的呼吸灯产品系列创造性地将LED驱动与GPIO功能相结合,从而做到单芯片实现20、30路的呼吸灯效。 同时,采用独特的FreeFlash技术实现智能呼吸功能,极大地减轻了主控芯片负载。所有呼吸灯产品都可支持256级调光,每路最大电流可达到40mA。 呼吸灯系列产品有:AW9106、AW9109、AW9110、AW9523、AW9120、AW9817、AW9818、AW2013。这些产品提供3路~77路LED驱动,多种规格;应用灵活,呼吸灯、IO扩展、LCD背光,多功能组合,可同时驱动LED、IO扩展等应用。 26 此外,LED驱动+背光、LED驱动+IO扩展的组合应用能够降低手机系统成本。 AW2013是艾为呼吸灯控制器系列产品之一,可实现3路单色LED或1组RGB驱动。提供标准的快速I2C接口,内置LDO、振荡器。AW2013的LED驱动采用共阳极、恒流源模式,支持256级PWM亮度调节。每路LED最大驱动电流通过寄存器独立配置,4级可调:15mA、10mA、5mA、0mA(缺省)。 3、射频小器件 (1)EZ-FM低噪声放大器 EZ-FM低噪声放大器作为艾为电子第一款射频器件,拥有累计近三亿颗的出货,已经成为非洲、印度、东南亚市场上功能机的标配。主要产品AW5007,是一款低噪声放大器,无需耳机和拉杆天线,通过复用GSM天线实现FM信号接收,既节省空间,又便于设计。EZ-FM具有低噪声,高增益,高线性度的特性,典型值噪声系数1.2dB,增益19dB。EZ-FM的电源电压范围在2.6V~3.6V,典型值2.8V,EN支持2.8V/1.8V的GPIO口输入。此外,EZ-FM将RF射频开关集成在内部芯片,在关断的条件下可以实现高阻抗,关机电流小于0.1μA。 随着无线通信技术的快速发展和手机功能的不断增多,手机中各种射频标准的相互干扰问题日益凸显。GNSS(GlobalNavigationSatelliteSystem)LNA(Low-noiseAmplifier)是全球卫星导航系统低噪声放大器的英文缩写,其用途主要包括信号损耗补偿和提高系统灵敏度两方面。艾为电子推出的AW5005低噪声放大器,采用专利的线性度提升技术,在保持极低噪声系数和高功率增益的同时,提供了业界极具竞争力的高线性度指标,有效保证了GPS微弱信号在强干 27 扰环境中的最佳接收。 AW5005是一款四频覆盖,适用于GPS,格洛纳斯,伽利略和北斗等全球导航卫星系统(GNSS)的低噪声放大器。其外围元器件简单,只需要一个外置输入匹配电,节省占板面积,是一款经济高效的解决方案。AW5005采用专利的智能线性度增强技术(SLT),具有极低噪声系数,高线性度,高增益等特性,可支持低至1.5V,高至3.6V的供电电压。所有这些特性使得AW5005成为GNSS低噪声放大器的最佳选择,极低的噪声系数大大地改善了灵敏度,高线性度使得系统能更好地抵抗带外干扰,并且降低了前级的滤波要求,进而降低了GNSS接收机的总成本。AW5005采用纤小的1.5mmx1.0mmx0.55mmDFN-6L封装,额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 28 二、公司组织结构、生产或服务流程及方式 (一)公司组织结构 (二)主要业务流程 1、公司的生产流程 集成电路行业又细分为设计、制造加工和封装测试等子行业,其中设计是第一个环节,位于产业链的上游,属于智力密集型行业,是需要较高技术含量和创新实力的环节;制造环节为生产制造晶圆基片并将设计环节设计好的电路版图蚀刻在晶圆基片上,属资金、技术密集型行业,该环节投资巨大,通常一条晶圆生产线需要投资数亿美元;封装及测试为后段加工环节,资金及技术门槛相对较低。 艾为电子是一家IC设计企业,采用无工厂生产模式进行,亦称Fabless模式。 是指企业只从事集成电路的设计业务,其余的晶圆制造、封装和测试等环节分别委托给专业的晶圆制造企业、封装企业和测试企业代工完成。 29 本公司的集成电路产品主要生产流程如下图所示: 委外加工 设计 Wafer 封装 成品 入库 出货 开发 采购 生产 测试 2、设计开发流程 公司采用轻资产的Fabless模式,结合自身优势,集中力量在芯片设计,IC产品生产环境中的晶圆生产和封装测试完全采用委托加工进行,这种轻资产的生产模式不仅有利于减轻公司负担,更能促进公司专注于核心技术的提高、芯片的开发设计。同时,公司对产品研发实行严格的流程管理,涵盖了可行性研究、立项、实施等涵盖产品流片和量产等重要环节,以确保产品研发的全过程能够得到科学有效的控制并达到预期目标。公司专设研发部门负责新产品设计开发策划、组织、协调、实施,设计开发的组织和业务的接口、输入、输出、验证、评审,设计开发的更改和确认等全过程。设计开发流程图如下: 30 设计开发流程图 工作内容描述 项目开始 通过项目立项评审,项目开始启动 项目开始后首先进入概念阶段,在此阶段项目组将对产品 概念阶段 进行市场需求和同类产品分析、明确产品的基本规格、关 键技术的初步实现分析、财经收益分析、知识产权分析等 项目组组织各部门进行概念可行性评审,审核和讨论《概 否 念可行性分析报告》,评审通过则可以进入下个阶段;若 否 不通过则项目终止或者修改分析报告后重新评审 项目终止 概念阶段评审 是 项目结束 计划阶段需要从市场需求,技术可行性,财经可行性,知 是 识产权可行性等方面进行深入分析,包括解决主要的技术 难题,对竞争对手的兼容芯片进行测试分析、对比,最后 制定总体设计方案、产品规格、仿真验证方案等。在这个 计划阶段 阶段需要制定完整的项目开发计划以及资源需求计划 项目组组织各部门进行计划可行性评审,审核和讨论《计 划可行性分析报告》、《总体方案》《产品规格书》评审同 否 时通过则可以进入下个阶段;若不通过则项目终止或者修 项目终止 计划阶段评审 改分析报告后重新评审 是 设计阶段包括电路设计、版图设计、工艺参数确认、封装 确认、各类测试方案制定,数据Tapeout时间,产品加工 项目结束 进度等 设计阶段 设计阶段结束会对电路设计、各类测试方案等进行评审, 最终电路设计、版图设计验证完成,在数据Tapeout前(发 给加工厂)进行评审,判断能否输出数据 Tapeout评审 数据传送给加工厂家,进入产品生产,项目组跟踪产品加 进度,同时准备实验室测试工作和前期客户验证工作 GDS数据Tapeout 进入验证阶段 31 3、委托加工流程 工作流程图 工作内容简述 (1)根据销售预测,前3个月销售情况,当月底 (1) 库存和在线情况排出的生产计划,提出封装需求。 封装需求 生产计划 (2)判断是否CP,如“Y”转(3),如“N”则转(9) (3)将WAFER发相关CP厂 (4)根据生产计划下CP订单 (2) 可参考:《委外工单开立作业流程》《WAFER调拨作 是否CP N 业流程》 Y (3) (5)CP厂进行CP生产 (9) (6)CP完成后的良率是否超标 WAFER发CP厂 WAFER发封装厂 如“Y”转(7),如”N”转(9)具体参见《圆片 测试作业指导书》,《圆片测试程式验证作业指导 书》 (4) (10) ERP生成CP订单 ERP生成封装订单 (7)测试工程师接CP厂测试异常报告后进行工程 下CP订单 下封装测试订单 分析和处理 (8)测试工程师判断是否需要复测 (5) (11) 如“Y”转(5),如”N”转(9) CP生产 封装生产 如需复测可参考:《返工工单开立作业流程》 N (9)将生产好的WAFER发相关封装厂 (12) (6) (10)根据生产计划下封装订单可参考《委外工 CP测试良率是 单开立作业流程》《WAFER调拨作业流程》 测试编带 否异常 (11)封装厂进行封装生产 Y N Y (7) (13) (12)封装厂在封装完成后进行测试编带 测试良率是否 工程分析 异常 (13)封装测试后的良率是否超标,如”Y”转 (14),如“N”转(16)《成品测试作业指导书》、 Y Y 《成品测试程式验证作业指导书》 (8) (14) 是否复测 (14)测试工程师接到封装厂反馈的测试一场报 工程分析 告后进行工程分析和处理 N (15)测试工程师判断是否需要复测如“Y”转 (12)如“N”转(16) (15) 是否复测 如需复测可参考:《返工工单开立作业流程》 (16)通知供应厂发货,并根据供应商提供的装 N (16) 箱单进行仓库进货。 仓库进货 可参考《委外进货流程作业指导书》 《库存转移流程作业指导书》 产品实现流程主要包括晶圆代工、封装测试等委外加工环节。其中,晶圆代工指根据委托企业的IC设计,将设计数据依次刻录在晶圆上,收取代工费。封装测试企业将制作好的晶圆进行切割并封装形成最终IC产品,经过测试后将合 32 格品交付设计企业,并收取相应加工费用。 为了保证客户利益,公司特别重视采购和委外加工等产品实现环节。目前公司已经与华润上华、宇芯、日月新、华虹宏力、通富微电、长电科技、长电先进和台积电等集成电路代工企业建立了稳定合作关系,委托其进行晶圆加工、封装加工以及芯片中测、成测。 三、公司业务相关的关键资源要素 (一)公司产品或服务使用的主要技术 1、Multi-Level AGC技术 在实际音频应用中,系统的输出功率往往会超过扬声器的额定功率,比如在5V供电的情况下,对8Ω的扬声器,最大不失真功率为1.56W左右,但是很多扬声器的额定功率在0.5W左右,如果不进行功率控制,过载的信号会对扬声器造成损坏,带有NCN功能(即Single-levelAGC)的音频功放可以有效地保护扬声器,随着输入信号的增大,输出功率随之增大,该NCN功能在输出功率超过设定的阈值功率后,自动降低功放内部的增益,将输出功率限制在设定的阈值功率处;但NCN功能有启动时间的设置,启动时间的设置是在听感与截顶杂音之间折衷,如果启动时间较长,音量会较大,但截顶失真也会随之增多;如果启动时间较短,截顶失真会随之减少,但音量也会降低。一般的音乐文件的峰值因子较大,范围在40~60dB左右,在播放音乐的时候,大的峰值信号输出超过了最大输出幅度,就会发生截顶失真,部分音乐会听到明显的杂音,因此需要Multi-levelAGC技术对音频功放进行动态调整,在提升小音量音乐文件播放音量的同时,消除大音量音乐文件播放时所出现的杂音,提升音质。 AW8738集成艾为专有的Multi-LevelAGC算法,有效消除音乐播放中的杂音,使音乐纯净自然,极大地提升了音质音量。Single-levelAGC功能和带Multi-levelAGC功能如下图所示。 33 单级AGC功能 多级AGC功能 截顶失真电压 恒定功率 恒定功率 阈值电压 阈值电压 较多的截顶失真 很少的截顶失真 单级AGC功能,检测恒定功率电压,Atack 多级AGC功能,同时检测截顶电压和恒定功率电压,Atack Time时间内,输出有较多截顶失真,会出现杂音 Time时间内,输出有很少的截顶失真,有效消除杂音 图1.单级AGC/多级AGC工作原理图 2、低噪声技术 智能机用户期望欣赏高品质的音乐,底噪作为关键性能指标,直接影响用户的听觉体验,在智能机系统平台中,噪声来自于两个部分,BB和音频功放。BB中数字域不产生噪声,主要由模拟域(包括DAC,PGA)和音频功放产生,BB产生的噪声会与输入到音频功放的信号一起被放大,要获得纯净的音质,需要同时减小平台及音频功放的噪声。 数字域 模拟域 AudioPA DSP DAC* PGA * Av* AW8738通过采用低噪声的电路架构,合理分配功放内部放大倍数,优化电路参数三个方面降低功放的输出噪声,具有高达100dB的信噪比,使音乐纯净自然。然而功放噪声只占输出总噪声很小一部分,只降低功放噪声对减小总噪声作用有限,要降低系统总噪声,需要将数字域的增益设置为最大,模拟域增益尽量设小,可以大幅降低BB输出噪声的影响。 3、超低失真技术 失真度是功放的关键参数,失真度越小,功放的性能越好。低的THD+N是获得好音质的关键,AW8155A采用T型高阶反馈环路和高品质电路设计有效抑制谐波分量产生。失真度低至0.007%,捕捉微妙的音乐细节,再现高保真纯净音质。 34 图3.AW8155A失真度曲线 4、EEE技术 方波的边沿变化包含了大量的高频能量,会对系统内的电子设备造成很大的EMI干扰,EEE技术通过特有的边沿速率控制优化了输出的方波信号,可以有效地控制高频能量的EMI辐射,同时不影响D类放大器的其他性能。 下面是传统D类放大器和带有EEE技术的AW8010的EMI测试结果,测试使用60cm(24inch)的输出线。上面的红色实线是FCC CLASS B的标准线,红色虚线是-6dB的裕量线,蓝色的线是实际测试曲线,粉色的线是测试环境的EMI背景噪音。 传统D类放大器FCC的测试结果 带有EEE技术的AW8010FCC的测试结果 35 图4.FCC测试结果对比 从上图的测试结果可以看出,带有EEE技术的AW8010的实测结果与测试环境的EMI背景噪声基本一样。在高频射频段,传统D类放大器的EMI辐射与背景噪声差别也不大,但在80~500MHz的频段内,有相当大的EMI辐射,因此系统工程师在使用D类放大器的时候会发现射频模块的灵敏度受到的影响较小,但对FM、手机模拟电视的灵敏度影响很大,甚至不能正常工作,采用EEE技术后,在该频段有超过20dB的裕量,极大地改善了D类放大器对FM、手机模拟电视的影响。 下图是传统D类放大器和带EEE技术的AW8010对FM接收信号的信噪比影响。 传统D类放大器对FM的影响很严重,信号变差甚至丢台,而带EEE技术的AW8010对FM影响很小,降低了系统工程师的调试难度。 开启传统D类放大器后FM接收信号的信噪比 开启AW8010后FM接收信号的信噪比 图5.FM信噪比对比 5、Smart-Chargepump电荷泵技术 艾为闪光灯驱动芯片采用Smart-chargepump电荷泵升压技术,具有高效率和高驱动能力,工作频率1.8MHz, 内置软启动电路,限流控制环路和过压控制环路,保证电路稳定可靠工作。 图6为电荷泵的基本原理图,AW3641E中使用的电荷泵包括4个开关,通过对4个开关的时序控制,使输出电压PVDD为输入电压VDD的2倍。 36 S4 S1 VDD C1P PVDD CIN + CF COUT 10uF 1uF 4.7uF S3 C1N S2 图6.电荷泵原理图 多档次平滑软启动:为了限制Smart-chargepump电荷泵启动过程中电源的浪涌电流,电荷泵具有多档次软启动功能。启动过程中电源电流限制在200mA之内,并且通过内部灵巧控制,通过8档电流步进调节,实现非常平滑的软启动。 软启动时间为1ms。 限流控制:Smart-chargepump电荷泵架构集成了限流控制环路,在正常工作中,当负载过重或者某种情况使电荷泵流过很大电流时,限流控制环路控制电荷泵的最大输出电流能力,电源限流在2.2A。 过压保护(OVP)控制:Smart-chargepump电荷泵架构的输出电压PVDD是输入电压VDD的2倍,为内部电路提供高压电压轨,允许LED闪光灯在锂电池电压范围内提供足够大的,稳定的闪光电流。Smart-chargepump集成了过压保护控制环路,在输入电压VDD大于5.5V时,输出电压PVDD不再是VDD的倍数,而是由过压控制环路使PVDD稳定在5.5V,迟滞电压为20mV左右。 6、抗干扰一线脉冲调光技术 一线脉冲控制技术是一种只需要单GPIO口就可以对芯片进行操作,完成多种功能的控制方法,在GPIO口紧缺和布线紧张的便携式系统中很受欢迎。当控制信号的走线比较长,由于信号完整性或者射频干扰的问题,会产生窄小的毛刺信号,艾为的一线脉冲控制技术在控制管脚内部加入了Deglitch技术,可以有效消除毛刺信号的影响,如下图所示。 AW8738 SHDN Deglitch 毛刺被消除掉 带有毛刺的控制信号 图7.艾为Deglitch功能示意图 37 传统的一线脉冲控制技术在芯片启动后仍然接收控制端口的脉冲信号,因此当主控芯片(如手机BB)在芯片工作期间误送脉冲时,就会发生状态错误的现象。一线脉冲状态锁存的技术,在主控芯片送入脉冲后,将状态锁存,不再接收误送的脉冲信号,如下图所示。 TLATCH 状态4 状态3 传统一线脉冲控制技术 屏蔽异常脉冲信号 状态4 状态4 抗干扰一线脉冲控制技术 图8. 抗干扰一线脉冲功能示意图 AW8738通过检测SHDN管脚送入的一线脉冲信号上升沿数目来判断进入何种模式,如图13所示:SHDN管脚直接拉高并保持高电平,只有一个上升沿,AW8738进入模式1;SHDN管脚直接拉高、拉低、拉高并保持高电平,有两个上升沿,AW8738进入模式2……依次类推,AW8738有7种工作模式,最多可以送入7个上升沿,上升沿的数目不允许超过7个。一线脉冲的高、低电平时间为0.75μs到10us之间,建议采用2us的高、低电平时间。 ACC技术模型 AW3641E具有自动温度检测机制,当芯片温度超过预设的ThermalAGC启动 温度阈值(135℃)时,芯片会启动输出电流自动控制电路,以减小芯片自身所消耗的能耗,减缓或阻止芯片温度的继续上升。当芯片温度恢复到正常工作范围(低于125℃)时,输出电流恢复至原始状态。如果芯片工作在故障状况下,芯片温度过高,上升到预设的过热保护温度阈值(147℃)时,系统会启动过热保护,将芯片关断。当芯片温度恢复至正常工作范围(低于120℃)时,AW3641E重新启动,恢复正常工作。 8、SLT (Smart Linearity Technology)技术 GPS在实际使用时,语音或数据传输中的干扰信号可能会泄露到GPS接收机的通路中,并会因接收机的低噪声放大器或接收器后端的过载而影响接收器灵敏度,因此,在有带外干扰信号时,电路必须保持高线性度,而当没有带外干扰信号时,电路需要保持最低的噪声系数。 目前传统的提高电路线性度的方法如图12所示,图中输入管被分为两个偏置在不同区域的晶体管:主管MA和辅管MB,主管的工作区域为正常偏置,而辅管MB一般偏置在深饱和区或者截止区,从而补偿输入管所带来的非线性。但是正如上文所述,为了达到最佳的噪声系数,输入匹配和功率增益,输入管的偏置 39 以及尺寸必须进行严格的优化,而辅管MB的引入必定会恶化已优化的噪声系数和输入匹配,其结果必定是牺牲一定的噪声系数,输入匹配或者功率增益,来达到较好的线性度。 图12. 传统LNA提高线性度的方案 图13.艾为SLT技术方案 SLT(Smart Linearity Technology)是艾为专利的线性度提升技术。在传 统的源极电感衰减的共源共栅结构基础上,采用可配置的衬底电阻衰减结构(如图2),可以灵活地在线性度和噪声系数中切换,当有带外信号时,电路的线性度得以较大提高,而噪声系数影响较小;当没有带外信号时,电路恢复到传统电路结构,保证了电路的最佳灵敏度,这种灵活的切换提高了在实际使用时的整体性能和综合体验。 (二)公司的无形资产 截至本公开转让说明书签署之日,公司拥有的商标权4个、实用新型专利4项、发明专利11项、已经受理正在申请专利24项以及集成电路布图设计专有权64项。 1、商标权 序号 商标 申请号 注册人 申请类别 注册有效期限 2010年10月28日至 1 6939248 艾为有限 第9类 2020年10月27日 2010年8月7日至 2 6939249 艾为有限 第9类 公司以获授权实用新型专利4项、发明专利11项、已经受理正在申请专利24项。根据我国专利法的规定,发明专利的保护期限为20年,实用新型、外观设计专利为10年,均自申请日算起。 已获授权的专利情况如下: 序号 专利名称 专利类型 专利号 专利权人 申请日 有效期限 取得方式 他项权 耦合电极组、触控板以及 ZL 实用新型 艾为有限 原始取得无 触控显示装置 93506.2 ZL 半导体芯片封装结构 实用新型 艾为有限 原始取得无 37442.7 无线终端及其多SIM卡 ZL 实用新型 艾为有限 原始取得无 连接装置 66551.X ZL 半导体芯片的封装结构 实用新型 艾为有限 原始取得无 39120.4 AB类放大器及其过温保 ZL 发明专利 艾为有限 原始取得无 护电路 23886.8 ZL D类放大器 发明专利 艾为有限 原始取得无 33163.6 ZL 电流自适应控制装置 发明专利 艾为有限 原始取得无 94396.7 ZL 发光元件的驱动装置 发明专利 艾为有限 原始取得无 40314.3 ZL 检测装置 发明专利 艾为有限 原始取得无 66090.0 ZL 控制芯片及终端 发明专利 艾为有限 原始取得无 44513.3 ZL 温度折返限流装置 发明专利 艾为有限 原始取得无 77272.X 无线终端及其多SIM卡 ZL 发明专利 艾为有限 原始取得无 连接装置 61275.2 无线终端及其多SIM卡 ZL 发明专利 艾为有限 原始取得无 连接装置 61116.2 一种调光控制的驱动控 ZL 发明专利 艾为有限 原始取得无 制装置、系统及方法 55405.4 ZL 音频放大器 发明专利 艾为有限 原始取得无 14831.2 正在申请的专利情况如下: 41 序号 专利名称 申请号 申请人 申请时间 1 放大器电路及其控制电路和控制方法 .0 艾为有限 2 全球卫星导航系统接收装置 .4 艾为有限 3 放大器电路及其控制电路和控制方法 .1 艾为有限 4 放大器电路 .5 艾为有限 5 信号传输方法 .X 艾为有限 6 升压变换器的限流电路及方法 .7 艾为有限 7 一种控制手持设备的方法及手持设备 .3 艾为有限 8 充电芯片中的充电控制系统 .1 艾为有限 9 电池的充电控制电路 .0 艾为有限 10 电池的充电控制电路 .9 艾为有限 11 充电电池的电压采样电路 .9 艾为有限 12 移动终端及其保护套、移动终端系统 .3 艾为有限 13 触摸数据处理方法 .X 艾为有限 控制设备状态的方法、装置及一种设 23 功放装置 .5 艾为有限 24 芯片、修改芯片配置的方法及装置 .3 艾为有限 3、集成电路布图设计专有权 公司已获批准集成电路布图设计专有权64项。我国《集成电路布图设计保护条例》第十二条规定,布图设计专有权的保护期为10年,自布图设计登记申请之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算,以较前日期为准。但是,无论是否登记或者投入商业利用,布图设计自创作完成之日起15年后,不再受该条例的保护。 序号 产品名 登记号 申请日期 有效期限 1 AW6302 BS. 上述商标、专利、集成电路布图设计专有权均未资本化,均无账面价值。 (三)取得的资质、产品检测或认证及获奖情况 截至本公开转让说明书签署日,公司取得的业务许可资格或资质情况如下:1、2009年9月2日,中华人民共和国工业和信息化部向艾为有限核发了编号工信部电子认S的《集成电路设计企业认定证书》。 2、2013年11月19日,上海市科学技术委员会、上海市财政局、上海市国家税务局和上海市地方税务局联合向艾为有限核发证书编号为GF的《高新技术企业证书》,证书有效期为3年,自2013年至2015年。 3、艾为有限取得了通标标准技术服务有限公司(SGS)核发的编号CN09/21907的管理体系认证证书,认证艾为有限的管理体系符合ISO9001:2008,活动范围覆盖集成电路产品(IC)的设计、生产外包管理和技术支持,有效期自2012年12月13日至2015年12月13日。 4、艾为有限2013年获得了上海市科技技术委员会、上海市经济和信息化委员会联合颁发的上海市科技小巨人(培育)企业证书。 5、艾为有限取得了上海出入境检验检疫局核发的编号的自理报检单位备案登记证明书,上海商务局核发的编号的对外贸易经营者备案登记表,上海市徐汇区开发区海关驻漕河泾办事处核发的编号的报关单位注册登记证书。 44 (四)公司重要固定资产 公司重要的固定资产为仪器设备、电子设备、办公家具,均用于公司日常生产经营活动,状态良好。截至2014年12月31日,公司重要固定资产情况如下: 单位:元 类别 原值(元) 净值(元) 成新率(%) 办公设备 1,378,904.39 742,352.25 53.84 电子设备 493,716.92 243,855.39 49.39 仪器设备 2,403,961.44 1,413,043.37 58.78 运输设备 - - - 合计 4,276,582.75 1,877,331.74 43.90 公司现有固定资产处于良好状态,不存在各项减值迹象,因此未对固定资产计提减值准备。 (五)公司员工情况 1、员工人数及结构 截至2014年12月31日,公司有员工68人(含子公司),具体结构如下: (1)按年龄划分 人数(人) 比例(%) 博士研究生 1 1 硕士研究生 16 24 本科 34 50 45 大专 11 16 中专及以下 6 9 合计 68 100.00 2、公司核心技术人员简历情况 (1)孙洪军,基本情况详见本公开转让说明书第一节“基本情况”之“三、公司股权基本情况”之“(二)控股股东、实际控制人、前十名股东及持股5.00%以上股东的持股情况”。 (2)郭辉,基本情况详见本公开转让说明书“第一节 基本情况”之“六、 公司董事、监事、高级管理人员基本情况”之“(一)董事”。 (3)程剑涛,基本情况详见本公开转让说明书“第一节 基本情况”之“六、 公司董事、监事、高级管理人员基本情况”之“(一)董事”。 (4)张忠,基本情况详见本公开转让说明书“第一节 基本情况”之“六、 公司董事、监事、高级管理人员基本情况”之“(一)董事”。 (5)杜黎明,基本情况详见本公开转让说明书“第一节 基本情况”之“六、 公司董事、监事、高级管理人员基本情况”之“(三)高级管理人员”。 3、核心技术人员持有公司的股份情况 截至本公开转让说明书签署日,公司核心技术人员持有公司股份情况如下: 姓名 持股数量(股) 持股比例(%) 孙洪军 11,790,000.00 (一)公司业务收入构成、各期主要产品的规模、销售收入 公司致力于模拟、射频和数模混合IC产品的设计、研发、生产外包管理和 46 销售,主要服务于手机等便携式消费品市场。报告期内,公司各期主要产品的规模、销售收入情况如下: 单位:元 项目 2014年度 2013年度 收入 成本 毛利率(%) 收入 成本 毛利率(%) 手机芯片类 电源系列 13,783,455.86 上海品芯电子有限公司 96,970.68 0.17 前五名客户合计 52,101,953.12 89.10 2013年度主营业务收入 58,475,671.10 公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及持有公司5%以上股份的股东均不在上述客户中任职或拥有权益。 报告期内,公司的客户具有一定的集中度,深圳朗华及海柏力高占公司销售 47 收入的比重较大。上述两家公司为公司提供代理出口、仓储及物流服务,公司产品的竞争力在于芯片设计技术,通过经销商销售是出于进出口业务的专业性以及下游手机整机厂对于集中采购的需求的考虑,公司产品对于出口渠道没有依赖,因此没有客户集中的风险。 (三)主要产品的原材料、能源及其供应情况以及公司前五名供应商情况1、主要产品的原材料、能源及其供应情况 公司的生产模式采用无晶圆生产线集成电路设计模式,即Fabless 模式, 企业只从事集成电路的设计业务,其余的晶圆制造、封装和测试等环节分别委托给专业的晶圆制造企业、封装企业和测试企业代工完成。报告期内,公司的业务成本主要原材料和加工费。 2014年度 项目 原材料 占比(%) 加工费 占比(%) 合计 手机类芯片 电源系列 4,697,599.99 47.01 公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及持有公司5%以上股份的股东均不在上述供应商中任职或拥有权益。 公司生产原材料主要是晶圆,主要向无锡华润集团下属两家公司采购,存在供应商集中的情况,已在本说明书重大事项中提示。主要因华润上华成熟的代工模式、行业领先的晶圆加工技术,使得在个性化定制加工领域,华润上华是公司的最优选择。同时,公司通过设计更薄的晶片以及更紧凑的芯片布图来减少单位成本,而华润上华能够满足加工更薄的晶圆(0.18m-0.35m)的需求,其他供应商往往不能以合格的优良率完成订单。 (四)公司重大业务合同及履行情况 1、销售合同 报告期内,公司重大销售合同情况如下: 序 合同 合同标的 供应商名称 签订时间 合同金额(元) 履行情况 号 名称 AW8733ATQR 1 购销合同 深圳朗华 1,173,634.99 履行完毕 等 2 购销合同 AW35007STR 深圳朗华 347,102.86 履行完毕 396,973.51 履行完毕 49 2、采购合同 五、公司的商业模式 公司采用“自主研发+委托加工”的商业模式,作为集成电路设计企业,其盈利核心要素是将知识、技术、人力资本创新性地转化为符合各类市场需求的集成电路,具有典型的“轻资产”特点。公司采用Fabless 模式即无晶圆生产线集成电路设计模式,是指结合客户具体需求,公司专注于从事各类集成电路的布图设计,其余的晶圆制造、封装和测试等环节分别委托给专业的晶圆制造企业、封装企业和测试企业代工完成。最终经过经销商分销给终端客户,从而实现资金回笼、获取收益。 50 (一)公司的采购模式 为了保证最终产品质量,公司拥有严格的供应商评估流程,和完善的采购核价体系,现阶段,公司主要供应商有华润上华、UNISEM、日月新、华虹宏力、通富微电、长电科技、长电先进和台积电等。公司根据销售预测和月底目标库存来制定采购和委外加工需求计划,由供应链管理部门主管审查是否核准此订单(如不核准需重新修正订单数据或作废此单据),核准确认后,打印工单凭证,并回传供应商。根据供应商协商结果,确认是否需要进行预付账款,完成采购流程。 公司将具体委外加工要求发往晶圆加工厂,晶圆加工厂根据公司的要求进行晶圆加工,加工完成后将晶圆运往指定的中测厂,中测厂完成测试后将晶圆运往封装厂,完成封装及成测。只有检验合格的产品才能运回公司成品仓库。中测厂、封装厂都需对前一步骤的产品进行质量验收,同时封装厂还需出具可靠性试验报告,最终的产品由公司质量工程部和仓库对数量、包装、规格、标签等方面进行验收。 在整个供产销的链条中,供应链管理部负责对新供应商进行评估以及对外包厂商的价格、服务进行评价;公司质量工程部负责对外包厂商(圆片加工、测试、封装)进行综合评定和定期评估。 (二)公司的销售模式 公司采用“经销为主、直销为辅”的销售模式。IC产品的终端客户企业数量庞大,规模大小不一,处于高度分散的状态,客户需求千变万化、订单零散,小规模的集成电路设计企业自身拥有较大的市场营销团队并不经济。通过引入规模较大的经销商有利于增强公司的销售实力以及更好地了解下游市场的需求。为保证及时收款,公司一般选择行业中资金实力雄厚,渠道能力较强的经销商,主要考察经销商回款时间的长短,其下游厂家的产品需求是否与公司的产品结构及 仓库 产能相互匹配。公司不定期地对部分终端客户进行拜访,了解客户对产品的使用情况及对经销商服务的满意度。公司与主要客户保持了稳定的销售关系,客户名单相对变动较小,不存在公司对特定供销商的重大依赖。 六、所处行业概况、市场规模及基本风险特征 公司主营业务为模拟、射频和数模混合IC产品的设计、研发、生产外包管理和销售,产品定位于高速增长的电子信息领域,主要服务于手机等便携式消费 51 品市场。根据《上市公司行业分类指引(2012 年修订)》,公司所处行业为“C39- 计算机、通信和其他电子设备制造业”;根据《国民经济行业分类与代码》(GB/T),公司所处行业为“C3963-集成电路制造”。 (一)所处行业概况 1、行业概况和监管体制 集成电路产业是国家经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业,是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心与基础,是转变经济发展方式、调整产业结构、保障国家信息安全的重要支撑,其战略地位日益凸现。 本公司所属行业的主管部门为国家发展和改革委员会及国家工业和信息化部。其中,国家发展和改革委员会对行业进行宏观调控和指导;国家工业和信息化部主要负责工业行业和信息化产业的监督管理,针对集成电路行业负责研究拟定信息化发展战略、方针政策和总体规划;拟定本行业的法律、法规,发布行政规章;组织制订本行业的技术政策、体制和标准等,对行业的发展进行宏观调控。 国家有关行业协会协调指导本行业发展。公司业务相关的行业协会是中国半导体行业协会,该协会是中国集成电路行业的行业自律管理机构。协会下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会以及半导体支撑业分会。协会在工信部的指导和管理下,负责产业及市场研究,对会员企业提供行业引导、咨询服务、行业自律管理以及代表会员企业向政府部门提出产业发展建议和意见等。工信部和中国半导体行业协会构成了集成电路行业的管理体系,各集成电路企业在主管部门的产业宏观调控和行业协会自律规范的约束下,面向市场自主经营,自主承担市场风险。 2、行业相关政策 集成电路产业是国民经济支柱性行业之一,其发展程度是一个国家科技发展水平的核心指标之一,影响着社会信息化进程,因此受到我国政府的高度重视和大力支持。自2000年以来,我国政府颁布了一系列政策法规,将集成电路产业确定为战略性产业之一,大力支持和鼓励集成电路行业的发展,相关政策具体如下: 序号 法律法规及政策名称 颁布 52 时间 1. 《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》 2000年 2. 《集成电路设计企业及产品认定暂行管理办法》 2000年 《关于鼓励软件产业和集成电路产业发展有关税收政策问题 3. 2000年 的通知》(财税[2000]25号) 4. 《集成电路布图设计保护条例》 2001年 《关于进一步完善软件产业和集成电路产业发展政策有关问 5. 2001年 题的复函》 6. 《集成电路布图设计保护条例实施细则》 2001年 《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展税收政策的 7. 2002年 通知》 8. 《集成电路产业研究与开发专项资金管理暂行办法》 2005年 9. 《国家鼓励的集成电路企业认定管理办法(试行)》 2005年 10. 《年国家信息化发展战略》 2006年 11. 《国家中长期科学和技术发展规划纲要(年)》 2006年 12. 《国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要》 2006年 13. 《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南(2007年度)》 2007年 14. 《信息产业“十一五”规划》 2007年 15. 《集成电路产业“十一五”专项规划》 2008年 16. 《关于企业所得税若干优惠政策的通知》 2008年 17. 《电子信息产业调整和振兴规划》 2009年 18. 《关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》 2010年 19. 《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》 2011年 20. 《集成电路产业“十二五”发展规划》 2012年 《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税 21. 2012年 政策的通知》 《国家发展改革委关于修改<产业结构调整指导目录(13年 年本)>有关条款的的决定》 23. 《国家集成电路产业发展推进纲要》 2014年 53 集成电路产业作为战略性产业,在目前全产业链竞争格局下,为缩小与国际先进水平的差距,预期未来政府的扶植力度将不断加强。 3、行业产业链 集成电路是利用半导体工艺或厚膜、薄膜工艺,将电阻、电容、二极管、双极型三极管等电子元器件按照设计要求连接起来,制作在同一硅片上,成为具有特定功能的电路。它实现了材料、元器件、电路的三位一体,与分立器件组成的电路相比,具有体积小,功耗低、性能好、可靠性高及成本低等优点。 中国集成电路产业已经形成了IC设计、制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局,随着IC设计和芯片制造行业的迅猛发展,国内集成电路价值链格局继续改变,其总体趋势是设计业和芯片制造业所占比例迅速上升。 在IC产业发展的早期,集成电路行业内主要公司通常覆盖了从设计、制造到封装的全部环节,这种模式被称为IDM(IntegratedDevicesManufacture)。而随着产业的逐渐发展与成熟,规模经济效应开始逐渐凸显,1987年张忠谋创办台积电将晶圆代工从IDM厂商中独立出来,使得全球半导体行业出现了垂直分工模式,发展到今天全球集成电路产业出现了IDM模式和垂直分工模式并存的局面。 图1-IDM模式 54 图2-垂直分工模式 目前,国内大部分IC设计企业只从事IC设计、销售业务,将芯片制造和封装测试工序外包,属于无生产线的IC设计公司(简称为“Fabless厂商”)。从集成电路产业链分工的角度而言,公司属于IC设计行业,位于产业链上游,也采用Fabless模式。 (二)行业发展现状和趋势 1、全球半导体发展趋势 上图可看出,半导体行业受行业本身供需以及新产品周期的影响。历次的金融危机和泡沫破裂都会使得半导体行业在短期内下降,但是从长期来看,新产品的推出才是半导体行业持续发展繁荣的内在动力。 55 在国际金融危机发生5年以后,2013年全球经济迎来了加快增长的拐点,发达国家走出低谷、发展中国家经济增长提速,全球经济回暖,消费市场重展活力,为全球半导体市场带来了新的增长。 2、集成电路产业规模快速增长,产业结构进一步优化 根据产品占比图分析,集成电路是半导体行业中的主要产品,2014年全球集成电路销售额达到2773亿美元,达到全球半导体销售总额的82.6%。 全球集成电路销售额持续增长,设计公司销售占整体集成电路销售的比重逐 56 年增加,集成电路设计与服务在集成电路产业中占有的位置越来越重要。我国集成电路产业、尤其是集成电路设计产业总规模虽然不大,但其增长率都高于全球总的增长率,我国2013年已有两大公司进入全球25大集成电路设计公司,显示了我国集成电路产业的勃勃生机。 随着集成电路产业的发展,中国IC设计、晶圆制造和封装测试三业的格局也正不断优化。总体来看,IC设计业与晶圆制造业所占比重呈逐年上升的趋势。 2014年,IC设计业所占比重达到34.7%,IC制造业比重为23.6%,封装测试业所占比重则已下降至41.7%。我国集成电路设计产业与制造、封测产业相比,所占的比重越来越高,说明我国自主创新的能力在逐步增强。国家集成电路政策的相继出台,是集成电路产业发展的又一大推动力,集成电路电路产业又迎来了新的机遇。 3、国内供需矛盾突出,集成电路主要靠进口 我国集成电路市场的实际国内供给率还不足10%,国内市场所需的集成电路产品主要依靠进口。这就凸显出我国集成电路产业的一个隐忧:行业规模扩大迅速,但市场自给率一直得不到显着提高。 根据海关总署公布的数据,全国每月进口重点商品量值表中,高新技术产品总是稳居前3位,往往高于我国原油进口金额,其中集成电路又在高新技术产品中占很大份额。中国科学院微电子研究所副所长周玉梅委员指出“我国进口的排名数据还不是最重要的参考数据,应该看全球集成电路的体量,我国几乎消耗掉了全球集成电路体量的一半,这个数据更值得国内业界反思。”我国是巨大的电子整机产品生产国也是巨大的集成电路消费国,不管我们消费的最终产品最终留 57 在本土还是出口,在集成电路产品上我国高度依赖进口是不争的事实。 4、资本市场表现活跃,行业整合初现端倪 在国家发布要推动集成电路企业的资源重组信息后,国内集成电路企业的收购兼并开始如火如荼地展开。拥有一定核心技术、市场能力较强、在国内处于领先地位的企业成为收购兼并的主要对象。 2013年7月,清华紫光和展讯通信联合宣布,双方已达成最终的合并协议,清华紫光将以每股美国存托股(ADS)31美元收购展讯通信的全部发行在外的普通股,为展讯通信估值约17.8亿美元,支付方式为现金支付。一些业内专家分析,此次收购的成功主要原因是展讯希望抓住即将到来的4G移动通信时代的机遇,进一步提升其产业技术水平,因而需要大量资本用于研发和提升高端产品的设计和制造技术。2013年9月,上海浦东科技投资有限公司向锐迪科发出收购要约,报价每股美国存托股份15.5美元。11月,紫光集团也向锐迪科发出收购要约。 2013年12月,同方国芯以定向增发方式实现对深圳国微电子的合并;2014年2月,长电科技与中芯国际共同出资组建12英寸凸点封装厂,随着集成电路产业的发展,兼并重组已经成为当前中国集成电路产业做大做强、产业链协同发展的必然趋势。 5、多学科结合、产品尺寸缩小、新材料引用、是IC发展趋势 不断提高性价比是集成电路产品迅速发展的动力。在今后几年,集成电路的特征尺寸将继续缩小,摩尔定律仍然在起作用。集成电路发展的总体趋势是集成度提升、性断提高、尺寸减小、电源电压降低和布线层数增加等。从横向看,集成电路与其它学科和技术相结合,形成新的方向,新的学科或专业,不断改变着传统专业分工的格局。这种技术融合的趋势,对集成电路来说,就是越来越复杂的片上系统(SOC,SystemonChip)。随着IC设计与工艺技术水平的不断提高,IC规模越来越大,复杂程度越来越高。集成电路与系统之间的明确界限已被突破,集成电路不仅成为现代产业和科学技术的基础,也成为当代各行各业智能工作的基石。 6、下游手机行业蓬勃发展 2013年,全球消费电子市场保持小幅增长,手机市场,尤其是智能机市场增速较快。市场研究机构IDC称,2013年全球手机出货量达到18亿部,同比增 58 加7.3%,智能手机的快速增长是带动手机市场成长的主要动力。IDC称,2013年全球智能手机出货量首次突破10亿部,达到10.04亿部,同比增长38.4%,占手机整体出货量份额达到55%。 资料来源:IDC 2013年全年,我国手机产量达到14.6亿部,增长23.2%,增速比上年提高18.9个百分点。据IDC发布的2013年全球手机18亿部的出货量测算,我国产量占全球出货量份额达到81.1%,比2012年提高10个百分点以上。国产智能机近三年呈爆炸式增长。国内手机四大龙头企业“中华酷联”2013 年合计出货量约为1.75 亿台,较2011年的4500 万台增长了近3 倍。 受手机业发展的推动,手机芯片市场及半导体芯片设计行业也渐露峥嵘。 2013年全球半导体芯片设计市场规模成长10%达到835亿美元,2013年全球手机芯片市场容量为350亿美元,较2012年310亿美元增长13.4%。中国半导体芯片设计公司2013年度全年营收规模为43亿美元,市占率仅为5.2%。中国半导体芯片设计仍有巨大的发展空间。 59 2014中国半导体市场年会上,由华强电子产业研究所发布了2013年中国大陆IC设计公司销售排行榜。工信部电子司副司长彭红兵在2014中国半导体市场场年会暨第三届中国集成电路产业创新大会(Ic Market China2014)指出,国家在扶持集成电路产业时,将着力长效机制的打造。将建立中央与地方各级政府协调与统筹的长效机制;通过政策导向,建立社会资金投入集成电路的长效机制;打造适合产业发展的生态环境;进一步改革开放,推进对外合作。 排名 企业名称 2013年收入(百万美元) 1 深圳市海思半导体有限公司 2100 2 展讯通信有限公司 1050 3 大唐半导体设计有限公司 396 4 锐迪科微电子有限公司 380 5 北京南瑞智芯微电子科技有限公司 350 6 格科微电子(上海)有限公司 300 7 福州瑞芯微电子有限公司 300 8 杭州土兰微电子股份有限公司 293 9 中国华大集成电路设计股份有限公司 291 10 珠海全志科技股份有限公司 260 (三)行业基本风险 1、行业竞争激烈,公司研发压力大 中国IC设计业过于分散,企业规模过小,国内前十大芯片设计企业的总产值加起来还不到高通的1/3。小规模芯片设计企业尚未形成强大的研发实力,缺乏核心竞争力,缺乏对市场的准确定位。此外,研究开发周期相对较长,资本需求较大,加之集成电路行业更新换代速度快,中小企业面临较大的研发压力。 2、国内技术相对落后,高端人才匮乏 集成电路具有技术密集度高、投资高等特点。国内企业主要生产、销售市场需求量大的中低端产品。与国际知名企业相比,研发能力、创新能力欠缺,究其原因,关键在于国内高端技术人才缺失。近年来,国内技术发展、产业升级,专业人才不断增加,但与发达国家和地区仍有一定差距,这种现状将会制约集成电路设计行业的发展。 3、委托加工模式下,代工企业产能制约风险 60 集成电路设计企业大部分使用Fabless模式,只进行芯片的设计、研发和销售,将生产制造和封装测试完全外包。无生产线的轻资产模式,使企业可以专注于核心业务,有利于产品研发和创新。但半导体制造是资本与技术密集的产业,加上技术的飞快演进,与昂贵的投资、生产线设备的折旧压力庞大,导致制造和封测晶圆代工企业规模有限。此外,长期代工的业务循环中,可能形成对特定晶圆代工企业的依赖性。若未来产品需求扩张,代工企业产能将制约企业发展。 4、产业整合加速,中小企业被兼并风险加大 2013年紫光集团分别以18亿美元和9.1亿美元收购排名第2和第3的IC设计厂商展讯通讯和锐迪科,国内IC设计将走上整合壮大的道路。大企业之间强强联合、大企业收购小企业等行业内重组层出不穷。创新能力不够、产品更新换代较慢、生产产能不足都将导致企业兼并风险的增大。 (四)行业进入壁垒 集成电路设计业是我国集成电路产业发展的核心环节,只有将设计业提高才能带动制造业和封装测试业的发展,也能为终端系统厂商提供芯片解决方案,解决我国芯片消费市场中存在的供需矛盾。IC设计业属于技术和资本密集型行业,在技术、资金和规模、产业化方面存在较高的行业进入壁垒: 1、技术壁垒 根据集成电路行业着名的摩尔定律,集成电路设计技术每18个月就更新换代一次,紧跟集成电路设计技术的高速发展、保持持续的核心竞争力和创新能力是进入本行业的一大技术障碍。芯片新产品面市时的高利润会吸引大量模仿者,造成产品的同质化严重、供过于求,最终导致利润率下降。企业要在后续竞争中胜出或保持优势,关键是持续地进行技术创新并形成差异化的产品,这就要求企业具有自主核心技术,并具有强大的持续创新能力和产品应用设计能力。 集成电路设计行业是一个投入高、周期长、风险大的行业。在本行业中,芯片产品单位售价通常较低,但芯片研发投入极大,因此企业研发的芯片产品市场销售数量需要高达几十万颗甚至上百万颗才能实现盈亏平衡。由于电子产品市场变化快、集成电路设计研发周期长及成功的不确定性较大,经常会出现产品设计尚未完成企业已面临倒闭或设计的产品已不满足目标市场的要求等尴尬局面。在集成电路设计行业发展并获取丰厚回报,需要企业投入大量的资金进行研发设计 61 和预研究。因此,资金和规模是本行业的另一大壁垒。 3、产业化壁垒 高素质的经营管理团队、富有技术创新理念的研发队伍和有效的营销战略是企业产品顺利实现产业化的重要保障。目前,市场热点层出不穷,企业管理层需要具备敏锐的洞察力、决策力和执行力,才能准确把握市场方向、提前布局。IC设计企业之间人才争夺激烈,只有产品的产业化,才能支撑一支稳定、具备创新能力的研发团队,以保证产品和技术研发顺利。此外,由于部分领域竞争激烈,优秀的产品需要采用有效的营销战略才能快速推广并广为市场接受。 (五)公司竞争优劣势 1、公司竞争优势 (1)技术优势 公司十分重视技术改革和提升,不断进行自主研发和创新。目前公司已经申请专利41项:其中,已获批准发明专利11项、实用新型专利6项,收到专利申请受理通知书24本;公司申请并获得集成电路布图设计专有权64项,获得国家创新基金和上海市集成电路专项基金等多项政府项目扶持。在注重研发团队建设的同时,公司成立了质量工程部,进一步保障技术的实现和产品的质量。在音频系列、电源系列以及射频小器件上,公司拥有多项自主核心技术,形成了完善的知识产权体系和独特的技术优势。 艾为电子拥有研发和技术人员30名,占公司总员工的44%。高管中四名董事会成员拥有18年以上IC设计经验,参与多款芯片的深度研发,现专注于手机周边芯片模拟和数模混合IC设计。董事长孙洪军先生技术出身,以身作则、起到带头模范作用,组建了一支稳定的核心技术团队。公司管理团队成员具有多年管理经验、相互信任、齐心协力。自公司设立以来,坚持走自主研发与市场需求结合的道路,无论在技术上还是管理上,不断引入高级专业人才,一直秉承注重培养新人的理念,相互融合,形成良好的技术和管理梯队,为公司持续发展奠定基础。 (3)成本优势 公司研发团队在技术创新和品质保障的同时,采用自主专利电路设计、大大缩减芯片面积,合理控制产品成本的策略。其次,新产品不断更新换代、量产增 62 加,提高了供应商的合作信心,公司已与供应商建立了长期稳定的战略合作关系,增强了产品成本议价能力。 (4)管理体制优势 公司架构清晰、目标明确,部门之间相互配合、各司其职,建立了良好的研发平台及质量管理体系,规范的研发流程和产品检测标准,在不断提升产品品质的同时,注重工作效率的提高。此外,公司财务体系通过预算管理和成本分析,及时与各部门进行沟通交流,并为管理者提供及时可靠的信息。 (5)市场优势 公司追求产品性能卓越、服务精益求精。优质的产品性能、充满竞争力的市场策略及贴心的全方位服务,赢得了客户的信赖,公司产品涵盖}

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