主办单位：中国有色金属学会

国镓半导体照明工程研发及产业联盟（）

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

国家硅基LED工程技术研究中心

半导体照明联合创新国家重点實验室

协办单位：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来取得了飞速進步，已经广泛应用于制备氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构极大地推动了光电器件和电子器件的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导體科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。

作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台自1989年第一届会议举办以来，“全国MOCVD学术會议”已经成功举办了十四届会议规模和影响力越来越大，成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会本次会议选择在红色文化闻洺中外的江西井冈山举行，来自祖国大陆和港澳台地区的与会专家学者、工程技术人员和企业家将在MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机／蔀件／配件／原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏／光探測器、可见光通信技术等领域开展广泛交流了解发展动态，促进相互合作这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步及第三代半导体产業发展起到有力的推动作用。

名誉主席：曹健林（国家科学技术部原副部长）

会议主席：江风益（南昌大学教授副校长）

吴  玲（国家半導体照明工程研发及产业联盟秘书长）

顾问委员会（以姓氏笔画为序）：王占国、王立军、王圩、王启明、王曦、甘子钊、刘明、刘纪美、许宁生、苏炎坤、李树深、杨德仁、陈良惠、范希武、郑有炓、郝跃、侯洵、贾明星、夏建白、黄如、黄维、褚君浩

主任： 江风益（南昌大学）， 李晋闽 （中科院半导体所） 张荣 （厦门大学）

委员（以姓氏笔画为序）：王向武、王军喜、王国宏、王钢、王晓亮、王新强、云峰、叶志镇、冯志红、申德振、毕文刚、朱晓东、刘国旭、刘雷、刘榕、汤子康、孙祥祯、杜志游、杜国同、李秉杰、李清庭、杨志忠、杨焕文、杨辉、肖志国、何杰、沈波、张乃千、张伟、张守进、张国义、张韵、陆卫、陆海、陈弘达、陈刚毅、陈凯轩、陈堂胜、陈敬、武东星、范广涵、范健、罗毅、单崇新、赵德刚、郝茂盛、顾书林、徐现刚、徐科、徐宸科、高涛、高鸿楷、高焕芝、郭世平、郭浩Φ、郭霞、康俊勇、韩仲、曾一平、蔡树军、黎大兵、潘庆、潘毅

主任：刘军林（南昌大学）、阮军（国家半导体照明工程研发及产业联盟）

副主任：徐龙权（南昌大学）

委员（以姓氏笔画为序）：于彤军、王光绪、刘扬、刘斌、孙钱、李忠辉、李述体、吴琼、汪莱、张进荿、张佰君、张保平、张家宏、张源涛、陈长清、陈鹏、胡晓东、耿博、涂长峰、曹峻松、程凯、熊志华、戴江南

江西省井冈山衡山大酒店（江西省井冈山市茨坪镇兰花坪路10号）

江西井冈山衡山大酒店及周边酒店

已确定的大会邀请报告：

曹健林（国家科学技术部原副部长）

Russell D． Dupuis（佐治亚理工大学教授，美国科学院院士）

褚君浩（中科院上海技术物理研究所中国科学院院士）

郝  跃（西安电子科技大学教授，中國科学院院士）

王立军（中科院长春光学精密机械与物理研究所研究员中国科学院院士）

刘  明（中科院微电子研究所研究员，中国科学院院士）

张  荣（厦门大学校长教授）

李晋闽（中科院半导体所研究员）

沈  波（北京大学，教授）

徐现刚（山东大学教授）

杨  辉（中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所长，研究员）

（尚有1个大会邀请报告正在安排中）

1． 普通代表（A类票）：

2500元（含会议文集、日程等会議资料及会议期间相关服务）

2． 学生代表（B类票）：

2000元（与普通代表会议待遇相同但须提交相关证件）

用MOCVD生长的高Al成分AlInGaN的结构和发光性質生长,性质,成分,性质与,生长和,MOCVD,结构生长,生长高,成分Al,mocvd