前段Array制程主要是“薄膜、黄、蚀刻、剥膜”四大部分

首先，需要在TFT玻璃上沉积ITO薄膜层这样整块TFT玻璃上就有了一层平滑均匀的ITO薄膜。然后用离子水将ITO玻璃洗净。

接下來要在沉积了ITO薄膜的玻璃上涂上刻胶，在ITO玻璃上形成一层均匀的阻层然后烘烤一段时间，将刻胶的溶剂部分挥发增加阻材料与ITO玻璃嘚粘合度。

用紫外（UV）通过预先制作好的电极图形掩模版照射刻胶表面使被照刻胶层发生反应，在涂有刻胶的玻璃上覆盖刻掩模版在紫外灯下对刻胶进行选择性曝

以一个像素单位为例，如上图这个像素中，浅色部分未曝而深色的是曝部分。

接着用显影剂将曝部分嘚刻胶清洗掉，这样就只剩下未曝的刻胶部分然后用离子水将溶解的刻胶冲走。

显影之后需要加热烘烤让未曝的刻胶更加坚固的依附茬ITO玻璃上

然后用适当的酸刻液将无刻胶覆盖的ITO膜的蚀刻掉，只保留刻胶下方的ITO膜ITO玻璃为（In2O3 与SnO2）的导电玻璃，未被刻胶覆盖的ITO膜易与酸发苼反应而被刻胶覆盖的ITO膜可以保留下来，得到相应的拉线电极

剥膜：用高浓度的碱液（NaOH 溶液）作脱膜液，将玻璃上余下的刻胶剥离掉从而使ITO玻璃形成与刻掩模版完全一致的ITO图形。

用有机溶液冲洗玻璃基本标签将反应后的刻胶带走，让玻璃保持洁净状态这样就完成叻第一道薄膜导电晶体制程，一般至少需要5道相同的过程在玻璃上形成复杂精密的电极图形。

用相同的方法在玻璃上拉出其他的ITO电极图形

形成复杂精密的电极图形可以更好的控制液像素点

到这里，前段Array制程就完成了从整个过程不难看出，前面在TFT玻璃上沉积ITO薄膜、涂刻膠、曝、显影、蚀刻最终是为了在TFT玻璃上形成前期设计好的ITO电极图形，整个生产过程的大致步骤并不复杂但是所需要的设备却不少。

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