北京布润科技有限公司的信号放大器采集放大器怎么样?

信号放大器放大器用的无线信号放大器扩展无线信号放大器本来就会衰减,不推荐使用

电力猫使用电线传输网络,可以理解电线也是网线价格肯定是贵一点,但是信号放大器衰减小现在都是只能配对的,很简单我家里就用的腾达的,ph15性价比不错。

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北京布润科技信号放夶器采集放大器采集通道可选择 8、16、32、64、128、256、512这7种标准配置。同时放大器提供8通道扩展模块可以实现同步采集脑电以及肌电、心电等生悝电信号放大器,为多模态生理信号放大器研究提供全方位技术支持

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产业研究对半导体供应链的调查指出2019年第三季与第四季全球半导体景气走出谷底阴霾,从去年第三季起半导体产业链库存水位偏高、终端需求疲软以及产能利用率松动嘚情形经过三个季度以来的产业调整逐渐从谷底走出,目前供应链库存水位已降至正常水平8吋晶圆与12吋晶圆的产能利用率也从今年第┅季较为松动的情况逐季提升,加上下半年智能型手机需求较上半年表现较佳其中苹果iPhone11系列反应热烈,追加订单的效应让第三季与第四季的半导体市场较为乐观但由于今年上半年销售额滑落过多的情况,预期2019年全球半导体市场将较2018年同比减少13% 

展望2020年全球半导体市场,峩们认为主要半导体需求的驱动力将是以智能型手机相关、基础建设、人工智能等三大板块驱动需求变动的最大不确定性将在于总体经濟因素与中美贸易战后续变化,这部分相对较难预测而在生产端上,因为外部环境的不确定性因素升高明年各半导体业者对于产能扩充以及厂房投资的态势相对保守,与业者的资本支出都得到较为审慎的节制资本支出将多数用于纳米工艺的制程提升方面,因此我们认為在大环境稳定的情况之下2020年全球半导体市场将较2019年增加约5%。 

芯片设计: 5G题材、AI人工智能和智能型手机相关成为IC设计业者下一波兵家必争の地 

过去几年半导体的运营成长动能主要仰赖智能型手机项目无论是在体量的增加或是手机硬件规格的创新往往带动芯片产品的效能与數量也有所提升虽然2019年全球智能型手机出货量较2018衰退4%,但2020预期在5G替换潮逐步发酵以及经济情况回稳的情况下将落底反弹约3%因此,智能型掱机AP、器、、驱动芯片、CMOS Sensor、面板驱动/触控芯片等相关芯片运营动能将开始回稳而阶段5G题材落实在智能型手机上面将让搭载AI功能的手机AP、基带和5G前段模块(包含射频芯片、、PA模块、天线和天线协调器等)成长力道开始增加,而与供应链的访谈得知2020年5G智能型手机渗透率有望突破10%約1.4亿只的规模。 

另外一方面5G基站的建设落实在全球主要市场如中国与美国大城市上5G基站目前所带来的技术无论是Sub 6GHz或是毫米波技术,所需偠的功率半导体元气件(特别是)、芯片、滤波器和天线的数量将较过去4G基站来的更多功能与效能的要求也更多,因此5G基站的基础建设快速咘建将有助于半导体产业的发展与提升 

而人工智能方面除了应用在智能型手机上边缘运算外,主要功能机器推理与等主要应用在服务器囷云平台上这部分AI芯片包含了传统熟知的外,也包含了FGPA以及客制化芯片推动服务器和数据中心巨头如、阿里巴巴、谷歌、和脸书等也嶊出专属于自家云端服务应用的AI芯片加速器和算法来落实AI的服务上,此举不仅是增加了AI芯片的用量同样也带动周边的芯片如服务器、服務器远程管理芯片等产品成长动能。 

芯片制造:14纳米以下先进工艺竞赛进入新局面8吋晶圆产能利用率持续回温 

从芯片制造的角度来看,由於14纳米工艺以下的先进制程投资额庞大客户集中程度高以及产品开发困难度陡增的影响,IDM和晶圆代工业者因应自身的竞争策略分成两个集团无论是自身策略使然或是政策协助下持续加码投资先进制程的公司如台积电、、中芯国际、武汉宏芯和上海华力微,此集团全力发展14纳米以下(包含14纳米)先进制程如FinFet和E等目标瞄准追求极致芯片大小以及高速运算的芯片;另外一方面联电、格芯、世界先进和华虹宏力等業者则是考虑到自身集团资源以及先进制程的投资报酬率,专注在8吋晶圆厂的运营和12吋晶圆成熟工艺(28纳米以上)除了8吋晶圆用于物联网、電源管理、分利器件、件等产品是最有运营效率,需求相对稳定12吋晶圆成熟工艺同样需求变化波动不大,产能利用率普遍较容易维持洇此对于代工业者的自由现金流以及财务结构来说较有保障。 

未来8吋与12吋新产能的增加主要增加在大中华区市场欧美区与日本的晶圆制慥业者逐渐朝向转型走向更利基的市场或是资产重组以及企业并购,格芯就是最好的例子在2022年IPO上市的前提之下,格芯不断的出售资产以強化财务结构除了新加坡八吋晶圆厂卖给世界先进外、美国12吋晶圆厂厂出售给半导体,目前原本在四川成都的12吋晶圆厂也传出未来将由鉯色列公司高塔半导体(TowerJazz)接盘而日本半导体公司也将原先与联电合资的三重富士通半导体全部股权卖回给联电也是一个案例。 

芯片封装: 先進封装制程成为下一个封测厂竞逐的焦点 

封装测试厂在今年上半年面临到产能利用率不佳以及封测价格杀价竞争的双重压力影响运营绩效普遍不佳,进入下半年受惠于5G天线前端模块、系统集封装(System-In-Chip)和晶圆级封装(WLCSP)的业务量提升全球前十大半导体封测业者的业绩从第二季起便觸底反弹,而目前封装测试厂正处于新时代封装技术与旧时代封装技术并陈的时刻一方面旧时代的封装测试技术(例如传统封装打线)依旧茬公司业绩占有一定的分额外,目前主流先进封装技术(如Bumping, WLCSP, Flip-Chip等)营收比重也不断攀升而随着半导体先进制程技术的演进,以及智能型手机、粅联网等更多轻薄装置对于芯片的尺寸和效能要求也不断增加扇出型封装(Fan-Out)、3D IC TSV等逐渐兴起,也让晶圆代工厂跨足以强化产业垂直整合最恏的例子就是苹果iPhone AP处理器的扇出型封装便是台积电一手包办,无须透过封测厂来完成此项扇出型封装商业模式的改变也让晶圆代工厂和半导体封测厂对于先进封装制程的竞争与合作成为下一个产业关注焦点,而根据我们的了解台积电在先进封装制程的营业额在2018年已经达箌25亿美元之谱,预计2019年将成长双位数达到35亿以上的规模 

存储器市场展望: 2020年内存与闪存市场回温成定局,跌价压力进一步舒缓 

2019年存储产业茬经过价格大幅滑落和产业严重供过于求领导厂商如三星、海力士、美光、铠侠(员内存)营收与利润衰退幅度创下新高,虽然自第三季起受到铠侠半导体厂跳电因素以及日韩贸易纠纷等冲击产出的因素让价格有止跌迹象但上半年营收衰退的情况让今年的整体内存与闪存的產值较2018年衰退幅度都均达到30%以上,也因此目前各家存储器厂商对于2020年的展望也相对保守以内存来说明年位产出年增率仅有15-20%的幅度,而闪存的位产出年增率也仅有30-35%的低标水平反应在明年存储器产业的资本支出金额也持续减少,计同比减少10-15%的幅度因此我们认为在2019年减产措施发酵以及2020产出受到节制的情况,整体存储器供给成长有限我们认为内存与闪存供过于求的情况自明年第二季末起将转为供需平衡甚至絀现供货吃紧的态势,整年度的平均销售单价来看内存整年度平均销售价格跌幅将收敛至10%以内,闪存整年度平均销售单价跌幅也有机会收敛至15%以内整体存储器行业产业秩序将较2019年表现更为稳定。 

中国半导体市场: 半导体供应链国产化加速 

中国半导体产业销售额过去五年都繳出年成长20%以上的亮丽表现今年受到中美贸易战影响终端需求的影响,预计今年整体中国半导体销售额的年成长率将滑落至10%而随着国際半导体供应链重新塑造以及中国半导体供应链加速国产化的转变,自今年第二季起IC设计业者(最显著的例子为半导体)的半导体与封测订单囿转回本土生产迹象明显因此也让晶圆代工业者如中芯、华虹等产能利用率获得改善外,最明显受惠的部分为封测厂商如长电科技、华忝科技和通富微电业绩和利润有明显的回升在产业政策上,大基金第二期约2000亿人民币的募集也顺利完成本次投资的重点将着重在半导體设备包括刻蚀机台、薄膜设备、测试设备、清洗设备等领域提供大力的支持外,也将多数掌握在外商的半导体材料板块提供本土业者更哆的资源与支持;而科创版的正式上路也提供半导体业者更多的筹资管道来充实研发资金或是并购资源

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5120AF 电路图、引脚图和封装图

ABA-53563是一款通用型5V硅宽帶RFIC放大器采用工业标准SOT-363(6引脚SC70)封装。该器件具有高增益良好的线性度和高达3.5 GHz的扁平宽带频率响应。特性 在2GHz时ABA-53563可提供21dB的增益,OIP3可达箌5V / 45mA偏置时23dBm和P1dB为13dBm。内部输入和输出50欧姆匹配使其易于使用设计工作量很小,使其成为无线通信市场中频缓冲和通用放大器的绝佳选择。

MGA-31289是一款0.25W高增益驱动放大器MMIC适用于1.5 GHz至3.0 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度高增益,出色的增益平坦度囷低功耗特性 MGA-31289是一款0.25W增益模块解决方案,针对频率进行了优化可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模块系列有2个器件 MGA-31189适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,而MGA-31289适用于1.5 GHz至3.0 GHz因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE频段 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场,并可選择输出功率这些器件还具有高增益,可以减少所需的RF级总数 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏压时的高线性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪聲图 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包装...

MGA-30689是宽带,平坦增益高线性度 通过使用Broadcom的专有0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺实现增益模块MMIC放大器。 该器件需要简单的矗流偏置元件才能实现宽带宽性能 特性 高线性度 产品规格的优异均匀性 内置温度补偿内部偏置电路 不需要 RF 匹配组件 标准 SOT89 封装 MSL-2和无铅无卤素 用于基站应用的高MTTF 应用 中频放大器,射频驱动放大器 通用增益模块

MGA-31589是一款0.5W高增益驱动放大器MMIC适用于450 MHz至1.5 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装 它昰Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率下的高线性度 高增益 低噪声图 高OIP3 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包

MGA-31489是一款0.10W高增益驱动放大器MMIC,适用于1.5 GHz至3.0 GHz的应用采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一具有高线性度,高增益出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31489是一款0.10W增益模块解决方案针对频率进行了优化,可提供卓越的RF性能这个高增益0.10W增益模块系列有2个器件。 MGA-31389适用于50 MHz至2.0 GHz的应用而MGA-31489适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSMCDMA和UMTS—加上下一代LTE频段。 通用的葑装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场并可选择输出功率。这些器件还具有高增益可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置电源下的高IP3 高增益增益平坦度好 低噪声图 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的优异均匀性 SOT- 89标准包...

产品规格的均匀性非常好 可提供卷带包装选项 MSL-1和无铅 点MTTF> 120°时的300年; C通道温度 应用 用于GSM / CDMA基站的A类驱动放大器。 通用增益块...

MGA-545P8是一款经济实惠,易于使用的GaAs E-pHEMT MMIC中功率放大器采用8引脚LPCC(JEDEC DFP-N)封装,非常适合用作802.11a网卡和AP中的驱动放大器以及5-6GHz固定无线接入的输出放大器。虽然针对5.8GHz应用进行了优化但该器件在1-6 GHz频率范围內具有出色的RF性能,功效和产品一致性 通过简单的输入匹配,MGA-545P8提供饱和功率输出为22dBm5.8GHz时饱和增益为9.5dB,直流偏置仅需3.3V / 92mA功率附加效率为46%。在线性模式下该器件可为802.11a系统提供11.5dB和16dBm线性Pout的小信号放大器增益,满足5.6%EVM特性 热效封装尺寸仅为2mm x 2mm x 0.75mm。其背面金属化提供了出色的散热性能以及焊料回流的可视证据该器件的点MTTF超过300年,安装温度为85 o C....

MGA-30789是一个宽带高线性度 增益模块MMIC放大器使用Broadcom的专有0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺。 该器件需偠简单的直流偏置元件才能实现宽带宽性能 特性 高线性度 产品规格的优异均匀性 内置温度补偿内部偏置电路 不需要 RF 匹配组件 标准 SOT89 封装 MSL-2和無铅无卤素 用于基站应用的高MTTF 应用 射频驱动放大器 通用增益模块

MGA-31189是一款0.25W高增益驱动放大器MMIC,适用于50 MHz至2.0 GHz的应用采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一具有高线性度,高增益出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31189是一款0.25W增益模块解决方案针对频率进行了优化,可提供卓樾的RF性能此高增益0.25W增益模块系列有2个器件。 MGA-31189适用于50 MHz至2.0 GHz的应用而MGA-31289适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSMCDMA和UMTS—加上下一代LTE频段。 通鼡的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场并可选择输出功率。这些器件还具有高增益可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 無卤素 低直流偏置功率下的极高线性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪声图 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包装...

MGA-621P8是一款经济实惠易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)器件。该器件设计用于700 MHz至1.5 GHz频率范围内的最佳使用并采用微型2.0x2.0x0.75mm 3 8引脚双扁平无引线( DFN)封装。 特性 高线性性能 低噪声系数 低荿本小封装尺寸 集成断电控制引脚 应用 用于小型蜂窝基站应用的LNA 其他低噪声射频应用

Broadcom’ ALM-32220是一款高线性度2瓦功率放大器具有良好的OIP3性能和極佳的PAE,1dB增益压缩点通过使用Broadcom’专有的0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺。特性 完全匹配输入和输出 高线性度和P1dB 在负载条件下无条件稳定 内置可调温度补償内部偏置电路 GaAs E-pHEMT技术[1] 5V电源 产品规格均匀性极佳

MGA-634P8低噪声放大器是Broadcom超低噪声,高增益高线性度砷化镓(GaAs)低噪声放大器系列的最新成员,旨茬用作蜂窝基站收发器无线电的第一级LNA卡塔顶放大器(TMA),合路器中继器和远程/数字无线电头。 MGA-634P8高线性低噪声放大器特点: ? 1500 MHz到2300 MHz操作 –同类最佳NF:0.44 dB @ 1900 MHz –高线性度:36 低成本小封装尺寸:2.0x2.0x0.75mm 3 产品规格的优异均匀性 可提供卷带包装选项 应用 低噪音用于GSMTDS-CDMA和CDMA蜂窝基础设施的放大器 其怹超低噪声应用...

Broadcom ALM-2203是一款微型高度集成的LNA滤波器RFIC模块。该模块旨在使卫星数字音频无线电服务(SDARS)信号放大器与现代汽车中常见的蜂窝WiFi,藍牙和GPS信号放大器共存 该模块集成了三个低噪声放大器(LNA)采用微型5x5x0.95mm封装的Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR)滤波器。该模块具有低噪声系数高增益和低电流消耗,非常适用于关键的低功耗卫星数字音频无线电服务(SDARS)无线电系统   功能 高级OOB P1dB,支持SDARS与蜂窝/ WiFi / GPS共存 高度集成的芯片模块降低BOM成本和设计時间 低噪声系数(NF)增强SDARS接收器灵敏度 适用于带集成蜂窝/ WiFi发射器的SDARS天线

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专利大战是LED行业的永恒话题目前大有愈演愈烈的趋势。尤其是以首尔半导体、日亚化学、丰田合成、欧司....

菦日江苏无锡锡山区东港镇人民政府与上海釜川自动化设备有限公司(以下简称“上海釜川”)举行签约仪式。....

现阶段半导体晶片商多采用ARM的处理器核心来制造旗下处理器或微控制器等产品。ARM的核心可分为A、....

时序将迈入2019年第四季面对2020年半导体产业展望,市场上普遍预估将有5~7%的成长水平但由....

数据显示,2016年至2018年以及2019年第一季度华峰测控的营业收入分别为1.12亿元、1.4....

在自主研发方面,中国走出了华为凭┅己之力拿下5G在网络+终端+芯片端到端能力。现在的测控行业犹如当....

根据三星10月8日发布财报显示第三季度,三星营业利润仅为7.7万亿韩元與去年同期相比减少56%,....

MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材....

台湾市场呔小了台湾只有代工制造这个仅有的骄傲,台湾永远是5G的配角如何做一个称职的配角,台湾还在....

英国大使馆官员表示他们在陕西的主要工作方向集中于一带一路主题、医疗健康、教育领域、科技领域以及文物....

据台积电称,采用EUV光刻技术的N7+(7nm+)工艺已经大批量的供应客戶但官方没有透露具体的合作....

营收不是吸睛点,利润的变动才是最受关注的财报显示,三星电子当季的营业利润介于7.6万亿-7.8万亿....

台湾半導体产业园项目的加速迈进只是句容 “芯”力量快速崛起的缩影2018年落户的壹度科技项目建设发....

恒坤新材料是国内率先实现量供集成电路超高纯前驱体和高端光刻胶的企业,已成为国内多家高端芯片企业的材料....

光纤通信、手机的无线通信系统、用于三维识别的VSECL泛光源、自动駕驶的毫米波雷达、5G基站的射频模....

据悉制程污染控制是指在生物医药、半导体、光电、食品饮料等产品的制造过程中,为了减少或避免甴于细菌、....

1990年德国管理学家赫尔曼。西蒙提出过隐形冠军的概念他认为德国能在长达23年的时间里保持世界出....

数据显示,半导体市场去姩创下了4856亿美元的历史最高纪录但今年随着存储芯片需求的急剧减少,整个市....

目前最先进的模拟和射频电路正广泛应用于消费电子产品、无线通讯设备、计算机和网络设备的SoC中。它们带来了一系列验证方面的...

吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案半导体分立器件包含夶量的双端口或三端口器件如二极管,晶体管场效应管等,是组成...

近年来半导体封装工业己经开始在中国蓬勃兴起和发展对中国工業技术的提高具有很大的推动作用。金丝球焊线机是芯片封装工艺设备...

半导体器件C-V特性测试方案交流C-V测试可以揭示材料的氧化层厚度晶圓工艺的界面陷阱密度,掺杂浓度掺杂分布以及载流子寿...

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品 LM3xxLV器件在低电壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装这些封装包括SOT-23,SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz 低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of

TLV9051TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器这些器件针对1.8 V至5.5 V嘚低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流嘚成本受限应用这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输叺和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度傳感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器或者FPGA组成部分的二極管。 无需校准对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/矗流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号放大器该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号放大器进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自動相位增加/减少相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与負载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干擾 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号放大器同步的GPO信号放大器)。在启动和电压变化期间器件会对出转换率进荇控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电壓:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组匼(t p_HL =30μs典型值) 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时复位信号放大器被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ) MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案适鼡于工业应用和电池供电/低功耗应用。

INA240-SEP器件是一款电压输出电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能能够在宽共模电压下检测分流电阻仩的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号放大器的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测分鋶器上的最大压降低至10 mV满量程。 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是┅款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器图形处理器單元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数通常用於静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4處理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入功能的多功能,用户鈳选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗自监控,超精确雷达系统的理想解决方案 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器咜基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号放大器处悝该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置控制和校准。此外该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中长),并且鈳以动态重新配置以实现多模传感器此外,该设备作为完整的平台解决方案提供包括参考硬件设计,软件驱动程序示例配置,API指南囷用户文档 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器接收...

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声快速稳定,零漂移零交叉器件,可实现轨到軌输入和输出运行这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8SOT23

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性支持轨到轨输叺和输出(RRIO),容性负载高达300PF集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM)) 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺団晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)葑装 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时器件的漏极开路輸出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出轨到轨输入,低静态电流关断的独特组合囷快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过壓保护电路其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处它具有允许输出主动驱动負载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值低输叺失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器 两个導轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC)数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗擾度更高且稳健耐用的温度监控解决方案 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度傳感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C 特性 符合QMLV标准:VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下鈳抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核配置为4个單相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测以补償稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,开关时钟可以强制为PWM模式也可以与外部时钟同步,以最大限喥地减少干扰 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号放大器同步的序列这些序列还可以包括GPIO信号放大器,以控制外部稳压器负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间器件控制输出压摆率,以朂大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出電压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时監控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)这些器件为成本敏感型應用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳萣性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器可用于最坚固,極具环境挑战性的应用 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON以及行业标准封装,包括SOICTSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

LP8756x-Q1器件專为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个㈣相输出1个三相和1个单相输出,2个两相输出1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号放大器进行控淛。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式鉯及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号放大器在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小輸出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 單位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格:2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置為1个四相输出,1个三相和1个单相输出2个两相输出,1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号放大器进荇控制 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对哆相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括鼡于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号放大器。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地減小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

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