技术:MOSFET(金属氧化物)
功率耗散(最大值):144W(Tc)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):35A(Tc)
连续漏极电流ID:150A
功率耗散(最大值):294W(Tc)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):195A(Tc)
漏源极击穿电压VDSS:40V
连续漏极电流ID:317A
无铅情况/RoHs:否
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