IRFB4610 P531P可以用哪个替代

技术:MOSFET(金属氧化物)

功率耗散(最大值):144W(Tc)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):35A(Tc)

连续漏极电流ID:150A

}

技术:MOSFET(金属氧化物)

功率耗散(最大值):294W(Tc)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):195A(Tc)

漏源极击穿电压VDSS:40V

连续漏极电流ID:317A

无铅情况/RoHs:

}

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