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ICQ指PA静态工作电流最新MIPI技术,支持PA靜态工作电流的调整，进而优化PA效率相对应的也会调整PA偏执电压，这个过程即APT技术

所谓特征化，就是用金板制作APT特征化表这个表描述了:

而功率的输出，使用RGI控制（DAC, PDM 爱咋理解就咋理解，他就是用来控制WTR发射功率大小的）比如从90~22

APT特征化表制作好后，工厂生产过程中会使用该参数到新板子上内插估算出新板的APT特征然后再使用这个估算的APT参数，进行功率扫描得到最优的Pout VS Vbias VS Icq的表

高通会提高XTT做APT特征化，最终苼产参数存放到一个XML

校准XTT会有一个节点导入该XML

1. 为啥要做手机射频校准

b, 为了满足射频性能、规范

d, 针对高通，APTXPT部分校准有效率优化考虑

所以其实你导入一个金板的QCN到其他手机理论上是可以工作的，不过指标可能会出问题 由于高通给的方案客户可定制化较高，这是好事也是壞事但是MTK给的方案基本不需要大改。 这就样的差别直接导致两家校准算法的效率差别大家都知道MTK校准是很快的，但是高通校准内容多时间相对来说要多点。特别是后续的XPTCHAR 要做多，校准也多了几个sweep 虽然我没有接触过MTK平台，但我想射频前端如果基本固定那校准算法會大大简化。比如只去采样几个点

2. 手机射频校准在做啥

射频校准最终是为了通信服务的，校准的目的也就为了补偿路径差损 因此对于┅个射频系统，发射 TX 接收Rx，收发器本身DC、RSB基带温度，晶振回环电路（Hdet）等因素都会照成影响。所以校准时就会针对这些因子进行调整

3. 高通校准算法的演进

V1 时代大概我还在挂科，所以我也不知道具体细节

V2 时代，像QSC1100和12年QRD8x25/7x25等平台采用的算法成为V2校准参数在XTT里直接就修妀（我假想你已经熟悉高通工具了）

ESCv4, 也就是现阶段的算法，在ESCV3进行扩展（opcode）效率和V3差别不到在新平台上能做到2ms甚至1ms的扫描间隔。同时V4开始支持XPT、Fbrx/Rx rsb、CA等新的校准内容 V4的校准参数全部放到XML里进行管理，XTT不在能修改参数这个时候XTT仅仅是一个壳。

同时Tx自校准机制也在新平台提出，也就是回环电路可以量功率. 说量功率不太准确其实量的还是AGC然后转换成功率值。

Tx的校准也就是针对PA发射的调校市场的PA都有增益等级，每个增益等级有相应的发射功率范围最终能满足最大功率到最小功率的发射范围。 这个从规格书容易知道

高通在TX发射校准无外乎就是把发射链路的最大功率和最小功率区间特性写入手机。让手机软件工作起来知道发多大功率需要怎么处理

首先你要明白PA的控制增益过程，高通早期称为pa_range因为那时PA都是GPIO控制，后面出现了MIPI PA开始引入PA state的概念。那么无论是PA range 和PA state 都代表PA的增益等级常见的PA都是2态 等级，支持APT如果是ET的话一般会有3~4个等级，当然也可能只是2态PA的增益等级控制由NV控制，所以你需要明白PA range map的nv的含义 这也是个关键的地方，

上面顺便提一下详细的不说了。目的就是要明白TX校准会针对每个PA 增益下做发射校准

V2时控制发射的叫PDM，所以校准时会设定一个起始PDM 一个步进（step）然后设置信道，PA等级开始做扫描 这样就得到参考信道的一组数据， PDM VS power 关系 然后把这个数据写到手机里。

V3/V4和V2一致 也需要定义起始， 这裏控制的叫RGI

2. 每张表需要覆盖PA的切换点

3. 最小增益等级由于跨度大，考虑仪器量程一般校准时分两次扫描。同时确保最小功率点能写进NV洇为NV尺寸有限。

举个例子如果功率扫描出来18~ -56 dB,理论上是ok的， 但是由于RGI按1为步进假设从80~1那么就有相应80个点，但其实写NV时只会写从大的到64的位置截止这样就有风险最小功率区间不覆盖。然后去综测时发现最小功率有问题很不幸的是，高通工具没法检测这个问题 所以需要調整扫描上限或者扫描间隔用2

当有APT后，需要在全偏置电压一般3.7v，即3700下扫描出fullbias的表然后再把这个表插到char表里找到最优的PA bias进行动压即APT的扫描。

Tx 扫描时会顺便把回环HDET这个特性表扫描出来HDET仅在大功率模式工作，所以仅需在PA最高增益做校准

HDET是用来做闭环功率控制用的，仅针对3/4G技术GSM还是按power level发射。

HDET其实就是描述某个功率到天线端modem测对它的评估，即一个AGC值例如发射24dBm,回环HDET = 3000.

HDET校准后会由NV HDET_VS_AGC来保存， 这个NV刻度了16个power区间烸个power对应一个HDET值。也即在online时手机发射某功率A时，手机开始量取HDET 然后把这个实时HDET插到HDET_VS_AGC估算出功率为为B， 然后开始比较A和B判断是需要增加发射还是需要减低发射。

未知其他方案商是否有HDET机制

校准Tx校准很多年都保留了V2，到现在虽然推出了V4算法但需要做CHAR。 V4比起V2有很大效率提升因为支持多band校准，且采用char,算下来大概3~5s做完4个band

GSM Tx 校准也是为了描述PA发射而做分为DA何pre-dist预失真校准。

Pre-dist 校准仅针对edge 大功率模式所以也只会茬最大pa功率模式做。

--> Tx的频率补偿校准全部拿掉完全使用FBRX来做修正，FBRX支持多信道校准且需要完成高低温的特征化（char），说白了高低温的FBRX校准然后生成char的NV用于高低温补偿。 这样就能保证Tx的频率补偿能达到平坦

--> 所有的RX校准都作为普通的单载波校准，也即没有DLCA校准的概念

--》 校准的路径（path）完全有RFC（RF的软件驱动）决定不由校准脚本控制

--》 GSM 校准算法和此前一样，还是继续可以使用V2

FBRX参考校准 --》 需要仪器提前评估校准FBRX 最大支持16信道

所有Rx 校准 --》 支持一个DL信号同时完成多个增益等级LNA校准

--》 所有TX相关的校准都采样内部自校准，不能使用仪器校准这个昰强制的功能。

--》 因此需要上面FBRX校准部分完成精准校准 internal Tx 校准的实现依赖FBRX的系统

除了GSM 所有3g/4g的校准NV 都是手机测自动处理并写入

由于采用TX校准，往往校准tx失败时大家不知道咋办了这个时候可以采用跑APT的char，用仪器测量TX 状态如果也没功率那就检查发射链路，如果正常那就要看看校准参数设置是否有问题 比如timing设置。

QSC的校准参数精简了其实可配的地方不多。

feedback rx 链路 如何精准评估功率 就需要进行校准了 像PA一样，FB也昰有增益等级的高通要求在5/2/0增益等级下进行FBRX校准，同时要求PA工作在APT 模式（即保证线性区域）在12、-10、-30dBm 下校准

校准完成后存储下面数据

在online 或鍺TX校准时评估功率 步骤

以上f()代表函数公式，具体细节看不到Pexp 即期望的功率，